首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--场效应器件论文

浮空场板AlGaN/GaN HEMTs器件研究

摘要第1-4页
Abstract第4-6页
第一章 绪论第6-14页
   ·GaN 材料的介绍第6-7页
   ·AlGaN/GaN HEMTs 器件简介第7-8页
   ·终端结构的介绍第8-9页
   ·场板以及本文研究的结构第9-14页
     ·场板研究的一些背景第9-11页
     ·场板工作的具体原理以及浮空场板结构的介绍第11-14页
第二章 软件仿真基本知识第14-26页
   ·Silvaco 软件介绍第14页
   ·传统场板结构的基本仿真规律第14-19页
   ·浮空场板简单结构的一些仿真规律第19-24页
   ·本章小结第24-26页
第三章 栅漏结构浮空场板的仿真研究第26-42页
   ·背景介绍第26-27页
   ·仿真的具体结构和思路第27-28页
   ·仿真的结果及分析第28-39页
   ·本章小结第39-42页
第四章 浮空场板结构实验研究第42-56页
   ·实验前准备工作第42-47页
     ·版图的介绍第42-43页
     ·试验的流程第43-47页
   ·测试与分析第47-55页
   ·本章小结第55-56页
第五章 总结与展望第56-58页
致谢第58-60页
参考文献第60-64页
研究成果第64-65页

论文共65页,点击 下载论文
上一篇:高电子迁移率GaN基双异质结材料与器件研究
下一篇:基于LTCC技术的微波滤波器设计