时序电路单粒子加固方法和技术研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·课题研究背景 | 第7页 |
| ·标准单元库研究现状 | 第7-8页 |
| ·抗辐射研究现状 | 第8-9页 |
| ·本文主要工作 | 第9页 |
| ·论文组织结构 | 第9-11页 |
| 第二章 单粒子效应概述 | 第11-23页 |
| ·单粒子效应产生环境 | 第11-13页 |
| ·单粒子效应分类 | 第13-16页 |
| ·单粒子翻转机理 | 第16-18页 |
| ·电荷沉淀 | 第16-17页 |
| ·电荷收集 | 第17-18页 |
| ·临界电荷 | 第18页 |
| ·单粒子效应模型建立 | 第18-20页 |
| ·单粒子效应加固层次 | 第20-21页 |
| ·工艺级加固 | 第20页 |
| ·系统级加固 | 第20-21页 |
| ·电路级加固 | 第21页 |
| ·本章小结 | 第21-23页 |
| 第三章 寄存器优化设计 | 第23-33页 |
| ·寄存器作用简述 | 第23页 |
| ·寄存器性能参数 | 第23-27页 |
| ·时间参数 | 第23-26页 |
| ·功耗参数 | 第26-27页 |
| ·寄存器结构选择 | 第27-30页 |
| ·寄存器尺寸优化 | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 时序电路单粒子加固设计 | 第33-55页 |
| ·TMR 冗余加固技术 | 第34-35页 |
| ·DICE 单元加固方法 | 第35-40页 |
| ·DICE 单元工作原理 | 第35-36页 |
| ·基于 DICE 加固实现 | 第36-38页 |
| ·防护能力和性能分析 | 第38-40页 |
| ·RC 滤波加固方法 | 第40-42页 |
| ·RC 滤波工作原理 | 第40页 |
| ·RC 滤波加固实现 | 第40-41页 |
| ·防护能力和性能分析 | 第41-42页 |
| ·C 单元加固技术 | 第42-49页 |
| ·C 单元工作原理 | 第42-43页 |
| ·基于 C 单元加固实现 | 第43-45页 |
| ·防护能力和性能分析 | 第45-49页 |
| ·时序电路的 SET 防护 | 第49-52页 |
| ·性能对比分析 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 标准单元版图设计实现 | 第55-61页 |
| ·标准单元库版图特点 | 第55-56页 |
| ·标准单元规则检查验证 | 第56-57页 |
| ·标准单元库版图 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第六章 总结与展望 | 第61-63页 |
| ·本文工作总结 | 第61页 |
| ·未来工作展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
