| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-6页 |
| 目 录 | 第6-8页 |
| 引 言 | 第8-10页 |
| 第一章 文献综述 | 第10-22页 |
| 1．1 GaAs材料的特性 | 第10-12页 |
| 1．2 GaAs器件 | 第12-14页 |
| 1．3 GaAs逻辑电路 | 第14-16页 |
| 1．4 GaAs集成电路的发展和应用 | 第16-17页 |
| 1．5 GaAs集成电路工艺 | 第17-20页 |
| 1．6 国内外GaAs阈值电压均匀性研究概况 | 第20-21页 |
| 1．7 光纤通信概况 | 第21-22页 |
| 第二章 GaAs MESFET器件模型 | 第22-36页 |
| 2．1 GaAs MESFET物理模型 | 第22-29页 |
| 2．2 电路模拟程序PSPICE中的GaAs MESFET器件模型 | 第29-31页 |
| 2．3 GaAs MESFET器件模型参数的提取 | 第31-35页 |
| 2．4 小结 | 第35-36页 |
| 第三章 GaAs MESFET阈值电压均匀性研究 | 第36-55页 |
| 3．1 GaAs MESFET阈值电压及其测量 | 第36-37页 |
| 3．2 GaAs MESFET阈值电压均匀性及其影响因素 | 第37-43页 |
| 3．2．1 GaAs MESFET阈值电压均匀性 | 第37页 |
| 3．2．2 GaAs MESFET阈值电压均匀性的影响因素 | 第37-43页 |
| 3．3 阈值电压均匀性测试版图的设计 | 第43-49页 |
| 3．3．1 阈值电压均匀性测试版图的总体设计 | 第43-44页 |
| 3．3．2 测试结构及其原理 | 第44-49页 |
| 3．4 GaAs MESFET工艺及其对阈值电压均匀性的影响 | 第49-54页 |
| 3．4．1 GaAs MESFET工艺 | 第49-52页 |
| 3．4．2 不同工艺对GaAs MESFET阈值电压均匀性的影响 | 第52-54页 |
| 3．5 小结 | 第54-55页 |
| 第四章 GaAs MESFET旁栅效应研究 | 第55-67页 |
| 4．1 GaAs MESFET中的旁栅效应 | 第55-56页 |
| 4．2 旁栅效应的特性及抑制旁栅效应的方法 | 第56-59页 |
| 4．2．1 旁栅效应的特性 | 第56-58页 |
| 4．2．2 抑制旁栅效应的方法 | 第58-59页 |
| 4．3 不同工艺制备的GaAs MESFET的旁栅效应 | 第59-60页 |
| 4．4 同种工艺旁栅效应特性的研究 | 第60-66页 |
| 4．5 小结 | 第66-67页 |
| 第五章 阈值电压自动测试系统 | 第67-75页 |
| 5．1 阈值电压自动测试系统结构和功能 | 第67-70页 |
| 5．2 实验 | 第70-71页 |
| 5．2．1 版图的设计 | 第70-71页 |
| 5．2．2 工艺 | 第71页 |
| 5．3 测试结果 | 第71-74页 |
| 5．4 小结 | 第74-75页 |
| 第六章 GaAs判决电路 | 第75-96页 |
| 6．1 光纤通信系统 | 第75-78页 |
| 6．1．1 光纤通信系统组成 | 第75-77页 |
| 6．1．2 光纤通信的优点 | 第77-78页 |
| 6．2 GaAs判决电路设计 | 第78-89页 |
| 6．2．1 判决电路概述 | 第78-79页 |
| 6．2．2 电路的设计 | 第79-84页 |
| 6．2．3 电路模拟及优化 | 第84-86页 |
| 6．2．4 版图设计 | 第86-89页 |
| 6．3 实验 | 第89-91页 |
| 6．3．1 工艺设计 | 第89页 |
| 6．3．2 工艺流程 | 第89页 |
| 6．3．3 主要工艺讨论 | 第89-91页 |
| 6．4 结果与讨论 | 第91-95页 |
| 6．5 小结 | 第95-96页 |
| 第七章 GaAs时钟提取电路 | 第96-101页 |
| 7．1 时钟提取电路设计 | 第96-97页 |
| 7．2 时钟提取电路模拟 | 第97-98页 |
| 7．3 定时再生电路模拟 | 第98-100页 |
| 7．4 小结 | 第100-101页 |
| 第八章 结论 | 第101-103页 |
| 参考文献 | 第103-107页 |
| 发表文章目录 | 第107-108页 |
| 致谢 | 第108页 |
