| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 国内外集成电路现状及发展 | 第9-10页 |
| 1.2 化学机械平坦化技术概述 | 第10-11页 |
| 1.3 铝栅CMP背景及存在的问题 | 第11-16页 |
| 1.3.1 高K/金属栅(HKMG)背景 | 第11-12页 |
| 1.3.2 铝栅背景及发展 | 第12-14页 |
| 1.3.3 铝栅CMP国内外现状及存在问题 | 第14-16页 |
| 1.4 课题来源及研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 铝栅CMP机理和模型分析 | 第17-27页 |
| 2.1 PRESTON方程 | 第17页 |
| 2.2 阿伦尼乌斯方程 | 第17-18页 |
| 2.3 CMP接触状态分析 | 第18-19页 |
| 2.4 优先吸附模型 | 第19-20页 |
| 2.5 滞留层理论分析 | 第20-21页 |
| 2.6 分子量级材料去除机理模型 | 第21-22页 |
| 2.7 铝栅CMP去除机理模型 | 第22-27页 |
| 第三章 铝栅CMP实验条件和方法 | 第27-37页 |
| 3.1 铝栅CMP碱性抛光液添加剂及优势分析 | 第27-30页 |
| 3.1.1 pH调节剂的选择 | 第27-28页 |
| 3.1.2 磨料的选择 | 第28页 |
| 3.1.3 氧化剂的选择 | 第28-29页 |
| 3.1.4 表面活性剂的选择 | 第29页 |
| 3.1.5 碱性抛光液优势分析 | 第29-30页 |
| 3.2 实验方法和设备 | 第30-37页 |
| 3.2.1 抛光实验 | 第30-31页 |
| 3.2.2 电化学测量实验 | 第31-32页 |
| 3.2.3 静态腐蚀实验 | 第32-33页 |
| 3.2.4 接触角实验 | 第33-34页 |
| 3.2.5 原子力显微镜 | 第34页 |
| 3.2.6 金相显微镜 | 第34-35页 |
| 3.2.7 pH计 | 第35页 |
| 3.2.8 磁力搅拌器 | 第35页 |
| 3.2.9 激光粒度仪 | 第35-36页 |
| 3.2.10 旋转粘度计 | 第36-37页 |
| 第四章 钴和铝去除速率及粗糙度的研究 | 第37-49页 |
| 4.1 磨料浓度对钴、铝去除速率影响 | 第38-39页 |
| 4.2 PH对钴、铝去除速率的影响 | 第39页 |
| 4.3 H_2O_2对钴、铝去除速率的影响 | 第39-40页 |
| 4.4 螯合剂对钴、铝去除速率的影响 | 第40-41页 |
| 4.5 H_2O_2和螯合剂协同对钴、铝去除速率的影响 | 第41-44页 |
| 4.5.1 固定螯合剂含量时,H_2O_2对钴、铝去除速率的影响 | 第41-42页 |
| 4.5.2 固定H_2O_2含量时,螯合剂对钴、铝去除速率的影响 | 第42-44页 |
| 4.6 表面活性剂对钴、铝抛光片表面粗糙度的影响 | 第44-45页 |
| 4.7 抛光工艺对钴、铝去除速率的影响 | 第45-46页 |
| 4.8 小结 | 第46-49页 |
| 第五章 铝栅碱性CMP析氢腐蚀的研究 | 第49-55页 |
| 5.1 实验条件 | 第49-50页 |
| 5.2 实验内容及结果 | 第50-53页 |
| 5.2.1 活性剂对接触角的影响 | 第50-51页 |
| 5.2.2 活性剂对静态腐蚀的影响 | 第51-53页 |
| 5.2.2.1 电化学实验 | 第51-52页 |
| 5.2.2.2 静态腐蚀实验 | 第52-53页 |
| 5.3 小结 | 第53-55页 |
| 第六章 PH值对铝栅抛光液稳定性的影响 | 第55-61页 |
| 6.1 实验条件 | 第55-56页 |
| 6.2 PH值与抛光液存储时间的变化关系 | 第56页 |
| 6.3 抛光液粒径、粘度和比重与抛光液存储时间的变化关系 | 第56-57页 |
| 6.4 铝去除速率与抛光液存储时间的变化关系 | 第57-59页 |
| 6.5 小结 | 第59-61页 |
| 第七章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
