| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第17-22页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第17-19页 |
| 1.2 毫米波相控阵及移相器研究现状与发展趋势 | 第19-21页 |
| 1.3 本论文结构安排 | 第21-22页 |
| 第二章 相控阵及移相器基本理论 | 第22-37页 |
| 2.1 相控阵基本原理 | 第22-25页 |
| 2.1.1 相控阵相位补偿原理 | 第22-24页 |
| 2.1.2 相控阵架构 | 第24-25页 |
| 2.2 移相器分类及原理 | 第25-33页 |
| 2.2.1 反射式移相器 | 第26-29页 |
| 2.2.2 移相开关型 | 第29-32页 |
| 2.2.3 矢量相加型 | 第32-33页 |
| 2.3 移相器设计指标 | 第33-36页 |
| 2.4 本章总结 | 第36-37页 |
| 第三章 相控阵接收前端基本理论 | 第37-62页 |
| 3.1 接收前端基本架构 | 第37页 |
| 3.2 LNA基本理论 | 第37-47页 |
| 3.2.1 LNA噪声理论分析 | 第38-41页 |
| 3.2.2 稳定性分析 | 第41-42页 |
| 3.2.3 低噪声放大器类型 | 第42-43页 |
| 3.2.4 宽带匹配和增益带宽扩展技术 | 第43-47页 |
| 3.2.5 小结 | 第47页 |
| 3.3 可变增益放大器基本理论 | 第47-53页 |
| 3.3.1 模拟乘法器可变增益放大器 | 第47-50页 |
| 3.3.2 电流分割型可变增益放大器 | 第50-52页 |
| 3.3.3 偏置电流控制增益 | 第52-53页 |
| 3.3.4 小结 | 第53页 |
| 3.4 无源器件 | 第53-60页 |
| 3.4.1 正交信号发生器 | 第53-57页 |
| 3.4.2 巴伦 | 第57-59页 |
| 3.4.3 电感、电容无源器件 | 第59-60页 |
| 3.5 本章总结 | 第60-62页 |
| 第四章 W波段低噪声放大器设计 | 第62-74页 |
| 4.1 SiGe BiCMOS工艺介绍 | 第62-64页 |
| 4.2 W波段LNA的设计及分析 | 第64-69页 |
| 4.3 W波段LNA版图及联合仿真结果 | 第69-73页 |
| 4.3.1 LNA版图 | 第69-70页 |
| 4.3.2 LNA联合仿真各项指标 | 第70-73页 |
| 4.4 本章总结 | 第73-74页 |
| 第五章 W波段有源移相器设计 | 第74-87页 |
| 5.1 W波段可变增益放大器设计 | 第74-77页 |
| 5.1.1 W波段可变增益放大器设计及分析 | 第74-76页 |
| 5.1.2 W波段可变增益放大器版图及联合仿真结果 | 第76-77页 |
| 5.2 无源电路设计 | 第77-82页 |
| 5.2.1 正交信号发生器 | 第78-80页 |
| 5.2.2 巴伦 | 第80-81页 |
| 5.2.3 电感、电容、GSG PAD设计 | 第81-82页 |
| 5.3 W波段4-bit有源移相器整体版图与结果 | 第82-84页 |
| 5.4 W波段接收通道整体版图与结果 | 第84-86页 |
| 5.5 本章总结 | 第86-87页 |
| 第六章 总结与展望 | 第87-89页 |
| 6.1 全文总结 | 第87-88页 |
| 6.2 工作展望 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-93页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第93-94页 |