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CMOS数字电路ESD保护电路效应建模与机理研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
第一章 绪论第11-17页
    1.1 课题研究背景及意义第11-13页
    1.2 国内外研究现状第13-16页
    1.3 论文主要研究内容与结构安排第16-17页
第二章 典型数字电路单元器件分析与ESD保护电路建模第17-45页
    2.1 CMOS反相器第17-19页
        2.1.1 工作原理第17-18页
        2.1.2 主要特性第18-19页
    2.2 静电产生机理第19-20页
    2.3 静电损伤失效机理第20-22页
        2.3.1 失效形式第20-21页
        2.3.2 失效机理第21-22页
    2.4 典型端口ESD保护电路第22-23页
    2.5 电路仿真工具第23-26页
        2.5.1 Synopsys HSPICE简介第23页
        2.5.2 MOSFET SPICE模型第23-26页
    2.6 ESD保护电路NMOS管建模第26-39页
        2.6.1 ggNMOS工作原理第26-31页
        2.6.2 ggNMOS等效电路模型第31-35页
        2.6.3 ggNMOS器件Snapback特性仿真验证第35-39页
    2.7 ESD保护电路PMOS管建模第39-44页
        2.7.1 gcPMOS工作原理第39-42页
        2.7.2 电路模型与Snapback仿真验证第42-44页
    2.8 小结第44-45页
第三章 基于GGNMOS和GCPMOS的ESD保护电路仿真测试第45-53页
    3.1 ESD测试标准波形及测试电路模型第45-48页
        3.1.1 ESD测试波形分类第45页
        3.1.2 波形产生电路模型第45-48页
    3.2 功能仿真测试第48-52页
    3.3 小结第52-53页
第四章 反相器HPM效应模拟计算第53-69页
    4.1 反相器电路模型第53-55页
    4.2 电路仿真与分析第55-68页
        4.2.1 微波脉冲功率效应规律第56-59页
        4.2.2 微波脉冲脉宽效应规律第59-62页
        4.2.3 微波脉冲载波频率效应规律第62-64页
        4.2.4 无输入ESD电路仿真结果第64-68页
    4.3 小结第68-69页
第五章 总结第69-70页
    5.1 本文主要工作与成果第69页
    5.2 后续工作展望第69-70页
致谢第70-71页
参考文献第71-75页

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