| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第11-13页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第13-16页 |
| 1.3 论文主要研究内容与结构安排 | 第16-17页 |
| 第二章 典型数字电路单元器件分析与ESD保护电路建模 | 第17-45页 |
| 2.1 CMOS反相器 | 第17-19页 |
| 2.1.1 工作原理 | 第17-18页 |
| 2.1.2 主要特性 | 第18-19页 |
| 2.2 静电产生机理 | 第19-20页 |
| 2.3 静电损伤失效机理 | 第20-22页 |
| 2.3.1 失效形式 | 第20-21页 |
| 2.3.2 失效机理 | 第21-22页 |
| 2.4 典型端口ESD保护电路 | 第22-23页 |
| 2.5 电路仿真工具 | 第23-26页 |
| 2.5.1 Synopsys HSPICE简介 | 第23页 |
| 2.5.2 MOSFET SPICE模型 | 第23-26页 |
| 2.6 ESD保护电路NMOS管建模 | 第26-39页 |
| 2.6.1 ggNMOS工作原理 | 第26-31页 |
| 2.6.2 ggNMOS等效电路模型 | 第31-35页 |
| 2.6.3 ggNMOS器件Snapback特性仿真验证 | 第35-39页 |
| 2.7 ESD保护电路PMOS管建模 | 第39-44页 |
| 2.7.1 gcPMOS工作原理 | 第39-42页 |
| 2.7.2 电路模型与Snapback仿真验证 | 第42-44页 |
| 2.8 小结 | 第44-45页 |
| 第三章 基于GGNMOS和GCPMOS的ESD保护电路仿真测试 | 第45-53页 |
| 3.1 ESD测试标准波形及测试电路模型 | 第45-48页 |
| 3.1.1 ESD测试波形分类 | 第45页 |
| 3.1.2 波形产生电路模型 | 第45-48页 |
| 3.2 功能仿真测试 | 第48-52页 |
| 3.3 小结 | 第52-53页 |
| 第四章 反相器HPM效应模拟计算 | 第53-69页 |
| 4.1 反相器电路模型 | 第53-55页 |
| 4.2 电路仿真与分析 | 第55-68页 |
| 4.2.1 微波脉冲功率效应规律 | 第56-59页 |
| 4.2.2 微波脉冲脉宽效应规律 | 第59-62页 |
| 4.2.3 微波脉冲载波频率效应规律 | 第62-64页 |
| 4.2.4 无输入ESD电路仿真结果 | 第64-68页 |
| 4.3 小结 | 第68-69页 |
| 第五章 总结 | 第69-70页 |
| 5.1 本文主要工作与成果 | 第69页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
