Ga2O3紫外光电导探测及其读出电路研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 紫外探测发展现状 | 第11-14页 |
| 1.3 课题研究工作的目的和意义 | 第14-15页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第15-16页 |
| 第二章 紫外光电导探测概述 | 第16-22页 |
| 2.1 紫外传感器类型及探测原理 | 第16-17页 |
| 2.2 紫外光电导探测器 | 第17-19页 |
| 2.3 紫外探测主要性能参数 | 第19-21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 Ga_2O_3光电导传感器的制备 | 第22-30页 |
| 3.1 Ga_2O_3传感器的制备 | 第22-25页 |
| 3.1.1 β-Ga_2O_3传感器结构 | 第22页 |
| 3.1.2 β-Ga_2O_3传感器制备过程 | 第22-25页 |
| 3.2 蓝宝石基片退火条件测试 | 第25-29页 |
| 3.2.1 退火过程 | 第25-26页 |
| 3.2.2 退火器件性能测试 | 第26-29页 |
| 3.3 本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 Ga_2O_3光电导传感器的测试 | 第30-48页 |
| 4.1 探测器封装及转接板的焊接 | 第30-31页 |
| 4.2 测试环境搭建及测试方式选取 | 第31-33页 |
| 4.3 基本探测电路架构 | 第33页 |
| 4.4 光电导探测器响应特性测试 | 第33-40页 |
| 4.4.1 光暗电流IV响应测试 | 第34-35页 |
| 4.4.2 光强响应度测试 | 第35-38页 |
| 4.4.3 波长响应度测试 | 第38-39页 |
| 4.4.4 时间响应度测试 | 第39-40页 |
| 4.5 时间响应影响因素测试 | 第40-47页 |
| 4.5.1 退火时间影响测试 | 第40-41页 |
| 4.5.2 偏置电压影响测试 | 第41-42页 |
| 4.5.3 应力影响测试 | 第42-44页 |
| 4.5.4 叉指宽度影响测试 | 第44页 |
| 4.5.5 薄膜质量影响测试 | 第44-47页 |
| 4.6 本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 探测电路的优化 | 第48-55页 |
| 5.1 高精度大动态范围探测电路 | 第48-50页 |
| 5.2 数字化探测电路单元 | 第50-52页 |
| 5.3 像素阵列仿真 | 第52-54页 |
| 5.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第六章 结论 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第62页 |
