| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 AlGaN/GaN材料特性 | 第11-12页 |
| 1.3 AlGaN/GaN HFET功率器件国内外研究现状 | 第12-16页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第16-17页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HFET器件物理 | 第17-30页 |
| 2.1 AlGaN/GaN异质结极化效应与 2-DEG来源 | 第17-19页 |
| 2.2 AlGaN/GaN晶圆材料性质测试与分析 | 第19-23页 |
| 2.2.1 原子力显微镜扫描 | 第20-21页 |
| 2.2.2 水银探针电容-电压测试（C-V） | 第21-22页 |
| 2.2.3 范德堡法霍尔测试 | 第22-23页 |
| 2.3 AlGaN/GaN HFET工作原理 | 第23-29页 |
| 2.3.1 常规HFET工作原理 | 第23-24页 |
| 2.3.2 增强型AlGaN/GaN HFET实现方法及工作原理 | 第24-29页 |
| 2.4 本章总结 | 第29-30页 |
| 第三章 凹槽栅增强型AlGaN/GaN HFET器件工艺开发 | 第30-58页 |
| 3.1 优化欧姆接触研究 | 第30-37页 |
| 3.1.1 优化欧姆接触实验方案 | 第31-32页 |
| 3.1.2 欧姆接触电阻率测试方法 | 第32-33页 |
| 3.1.3 欧姆接触电阻测试结果 | 第33-34页 |
| 3.1.4 欧姆接触表面形貌分析 | 第34-35页 |
| 3.1.5 欧姆接触形成的物理机制 | 第35-37页 |
| 3.2 新型凹槽栅刻蚀工艺开发 | 第37-48页 |
| 3.2.1 干法刻蚀实验方案及测试分析 | 第38-42页 |
| 3.2.2 干法刻蚀后表面处理工艺开发 | 第42-45页 |
| 3.2.3 新型两步刻蚀法工艺开发 | 第45-48页 |
| 3.3 AlGaN/GaN异质结表面钝化工程 | 第48-50页 |
| 3.4 AlGaN/GaN增强型器件其他工艺 | 第50-55页 |
| 3.4.1 器件隔离 | 第50-53页 |
| 3.4.2 栅介质淀积 | 第53-54页 |
| 3.4.3 栅极肖特基金属淀积 | 第54-55页 |
| 3.5 凹槽栅增强型AlGaN/GaN HFET工艺流程 | 第55-56页 |
| 3.6 本章总结 | 第56-58页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HFET功率开关器件研制与测试 | 第58-77页 |
| 4.1 高性能凹槽栅增强型AlGaN/GaN MIS-HFET器件研制 | 第58-60页 |
| 4.1.1 器件结构 | 第59-60页 |
| 4.1.2 器件制备 | 第60页 |
| 4.2 增强型MIS-HFET器件性能测试与分析 | 第60-71页 |
| 4.2.1 器件转移特性和输出特性的测试与分析 | 第61-68页 |
| 4.2.2 器件击穿电压测试与分析 | 第68-71页 |
| 4.3 新型AlGaN/GaN HFET功率器件研制 | 第71-73页 |
| 4.3.1 器件结构 | 第71-72页 |
| 4.3.2 器件制备 | 第72-73页 |
| 4.4 新型HFET功率器件温度特性测试与分析 | 第73-75页 |
| 4.4.1 正向温度特性测试与分析 | 第73-74页 |
| 4.4.2 反向温度特性测试与分析 | 第74-75页 |
| 4.5 本章总结 | 第75-77页 |
| 第五章 结论 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-89页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第89-90页 |
