| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 太赫兹波研究背景 | 第10-13页 |
| 1.1.1 太赫兹技术简介 | 第10-12页 |
| 1.1.2 太赫兹调制器技术 | 第12-13页 |
| 1.2 石墨烯太赫兹调制器 | 第13-18页 |
| 1.2.1 石墨烯的应用领域 | 第13-15页 |
| 1.2.2 基于石墨烯的光控太赫兹调制器 | 第15-17页 |
| 1.2.3 基于石墨烯的电控太赫兹调制器 | 第17-18页 |
| 1.3 本论文的选题和研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 石墨烯的制备和转移方法 | 第20-29页 |
| 2.1 石墨烯基本概念 | 第20-21页 |
| 2.2 石墨烯的优异特性 | 第21-22页 |
| 2.3 大面积、高质量石墨烯薄膜的制备 | 第22-23页 |
| 2.4 石墨烯的转移工艺优化研究 | 第23-28页 |
| 2.4.1 关于石墨烯表面破损问题的研究 | 第24-25页 |
| 2.4.2 关于去除石墨烯薄膜表面杂质的研究 | 第25-28页 |
| 2.4.3 石墨烯薄膜的拉曼表征 | 第28页 |
| 2.5 小结 | 第28-29页 |
| 第三章 基于表面改性石墨烯的空间光调制器研究 | 第29-45页 |
| 3.1 3-氨基丙基三乙氧基硅烷表面改性对石墨烯太赫兹调制深度的影响 | 第29-37页 |
| 3.2 二甲基甲砜表面改性对石墨烯太赫兹调制深度的影响研究 | 第37-43页 |
| 3.3 小结 | 第43-45页 |
| 第四章 石墨烯场效应晶体管太赫兹波调制器 | 第45-62页 |
| 4.1 高 Κ 材料作为介质层对石墨烯场效应晶体管性能的影响研究 | 第45-47页 |
| 4.2 高 Κ 材料作为场效应晶体管介质层的基本表征及电学测试 | 第47-53页 |
| 4.3 高 Κ 材料介质层石墨烯晶体管调制器TDS测试 | 第53-58页 |
| 4.4 二甲基甲砜表面改性对石墨烯晶体管调制器调制的影响研究 | 第58-60页 |
| 4.5 小结 | 第60-62页 |
| 第五章 结论和展望 | 第62-64页 |
| 5.1 结论 | 第62-63页 |
| 5.2 展望 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第69-70页 |
