| 摘要 | 第6-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第11-13页 |
| 1.2 AlGaN/GaNHFET器件存在问题以及研究动态 | 第13-17页 |
| 1.3 论文工作安排 | 第17-19页 |
| 第二章 AlGaN/GaNHFET基本原理介绍 | 第19-33页 |
| 2.1 AlGaN/GaN异质结结构的基本原理 | 第19-26页 |
| 2.1.1 极化效应 | 第19-23页 |
| 2.1.2 二维电子气 | 第23-26页 |
| 2.2 AlGaN/GaNHFET基本结构和原理 | 第26-30页 |
| 2.2.1 导通机制和阈值电压 | 第26-27页 |
| 2.2.2 阻断机制和击穿机理 | 第27-30页 |
| 2.3 器件仿真介绍 | 第30-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 双异质结AlGaN/GaNHFET特性分析 | 第33-51页 |
| 3.1 双异质结AlGaN/GaNHFET结构和基本原理分析 | 第33-46页 |
| 3.1.1 双异质结的基本原理分析 | 第33-36页 |
| 3.1.2 模拟结果和基本特性分析 | 第36-42页 |
| 3.1.3 相关参数的优化和基本分析 | 第42-46页 |
| 3.2 新型具有增强型特性的高耐压双异质结器件 | 第46-49页 |
| 3.2.1 新型器件基本结构和基本原理 | 第46-47页 |
| 3.2.2 阈值电压和耐压特性分析对比 | 第47-49页 |
| 3.3 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 具有场板调制的双异质结AlGaN/GaNHFET的特性分析 | 第51-61页 |
| 4.1 场板结构在常规AlGaN/GaNHFET中的应用 | 第51-56页 |
| 4.1.1 场板结构和基本原理 | 第51-52页 |
| 4.1.2 具有场板结构的AlGaN/GaNHFET | 第52-53页 |
| 4.1.3 场板AlGaN/GaNHFET的耐压分析 | 第53-56页 |
| 4.2 场板在双异质结结构中的应用 | 第56-59页 |
| 4.2.1 具有场板结构的双异质结AlGaN/GaNHFET | 第56-57页 |
| 4.2.2 场板双异质结AlGaN/GaNHFET相关参数的优化 | 第57-59页 |
| 4.3 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 5.1 结论 | 第61-62页 |
| 5.2 下一步工作 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 硕士期间发表论文和获奖情况 | 第69-70页 |
