| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 LDMOS器件概述 | 第11页 |
| 1.2 LDMOS器件的耐压技术研究现状 | 第11-15页 |
| 1.2.1 SOI技术 | 第11-14页 |
| 1.2.2 RESURF技术 | 第14页 |
| 1.2.3 沟槽技术 | 第14-15页 |
| 1.3 LDMOS器件的模型研究进展 | 第15-16页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第16-17页 |
| 第二章 槽型SOI LDMOS器件研究 | 第17-28页 |
| 2.1 槽型SOI LDMOS器件结构与工作原理 | 第17-21页 |
| 2.1.1 槽型SOI LDMOS结构特征 | 第17-18页 |
| 2.1.2 槽型SOI LDMOS器件耐压机理 | 第18-20页 |
| 2.1.3 槽型SOI LDMOS器件比导通电阻减小机理 | 第20页 |
| 2.1.4 开关特性分析 | 第20-21页 |
| 2.2 关键参数对器件性能的影响 | 第21-24页 |
| 2.2.1 氧化槽尺寸 | 第21-23页 |
| 2.2.2 埋层厚度 | 第23-24页 |
| 2.3 SOI LDMOS器件的二维电势和电场模型 | 第24-26页 |
| 2.4 保角变换基本理论 | 第26-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 基于保角变换的N/P条槽型SOI LDMOS器件建模研究 | 第28-43页 |
| 3.1 N/P条槽型SOI LDMOS器件 | 第28-31页 |
| 3.1.1 器件结构与工作原理 | 第28-29页 |
| 3.1.2 关键参数对器件性能的影响 | 第29-31页 |
| 3.2 N/P条槽型SOI LDMOS器件的二维电势和电场模型 | 第31-39页 |
| 3.2.1 区域Ⅰ和区域Ⅱ的二维电势和电场模型 | 第31-33页 |
| 3.2.2 区域Ⅲ和区域Ⅳ的二维电势和电场模型 | 第33-37页 |
| 3.2.3 基于解析模型的参数分析 | 第37-39页 |
| 3.3 N/P条槽型SOI LDMOS器件的耐压模型 | 第39-41页 |
| 3.3.1 二维耐压模型推导 | 第39-40页 |
| 3.3.2 基于耐压模型的器件结构优化 | 第40-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 变k介质槽型SOI LDMOS器件研究 | 第43-57页 |
| 4.1 2层和3层变k介质槽型SOI LDMOS器件 | 第43-45页 |
| 4.1.1 器件结构特征 | 第43-44页 |
| 4.1.2 器件耐压机理 | 第44-45页 |
| 4.2 2层和3层变k介质槽型SOI LDMOS器件的参数分析 | 第45-49页 |
| 4.3 具有平行N/P条的变k介质槽型SOI LDMOS器件 | 第49-51页 |
| 4.3.1 器件结构特征 | 第49-50页 |
| 4.3.2 器件耐压机理 | 第50-51页 |
| 4.4 具有平行N/P条的变k介质槽型SOI LDMOS器件的参数分析 | 第51-54页 |
| 4.5 几种器件的特性对比 | 第54-55页 |
| 4.6 本章小结 | 第55-57页 |
| 总结与展望 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 硕士期间发表论文 | 第64-65页 |
