| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 主要符号表 | 第13-14页 |
| 第一章 引言 | 第14-25页 |
| 1.1 GaN基材料的基本性质 | 第14-18页 |
| 1.1.1 GaN的材料结构和特性 | 第15-16页 |
| 1.1.2 AlN/GaN异质结材料的极化特性及2DEG来源 | 第16-18页 |
| 1.2 AlN/GaN异质结材料与电子器件的研究历史及现状 | 第18-20页 |
| 1.3 本论文的工作及内容安排 | 第20-22页 |
| 参考文献 | 第22-25页 |
| 第二章 器件的制备与测试 | 第25-37页 |
| 2.1 AlN/GaN异质结构材料的生长 | 第25-29页 |
| 2.1.1 衬底材料的选择 | 第25-26页 |
| 2.1.2 外延生长技术 | 第26-27页 |
| 2.1.3 本文采用的材料生长方法及材料结构 | 第27-29页 |
| 2.2 AlN/GaN HFETs的器件制备工艺 | 第29-32页 |
| 2.2.1 版图的设计 | 第29-30页 |
| 2.2.2 AlN/GaN器件制备工艺流程 | 第30-32页 |
| 2.3 AlN/GaN异质结构材料与器件特性测试 | 第32-35页 |
| 参考文献 | 第35-37页 |
| 第三章 AlN/GaN HFETs势垒层应变的研究 | 第37-59页 |
| 3.1 AlN/GaN异质界面极化电荷理论计算 | 第37-39页 |
| 3.2 泊松方程-薛定谔方程自洽求解计算异质界面极化电荷密度 | 第39-45页 |
| 3.3 AlN/GaN SBDs势垒层应变的分析 | 第45-46页 |
| 3.4 浮栅型AlN/GaN HFETs势垒层应变的研究 | 第46-57页 |
| 3.4.1 浮栅对AlN/GaN HFETs器件中心栅下势垒层应变影响 | 第47-52页 |
| 3.4.2 浮栅对AlN/GaN HFETs势垒层不同位置处应变的影响 | 第52-57页 |
| 3.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
| 第四章 AlN/GaN SBDs异质界面陷阱态的研究 | 第59-70页 |
| 4.1 陷阱态基本概念 | 第59-61页 |
| 4.2 AlN/GaN SBDs中的陷阱态分布及其等效模型 | 第61-65页 |
| 4.2.1 AlN/GaN SBDs中陷阱电荷分布 | 第61-62页 |
| 4.2.2 AlN/GaN SBDs等效电路模型 | 第62-65页 |
| 4.3 AlN/GaN SBDs异质界面陷阱态的研究 | 第65-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-70页 |
| 第五章 结论 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文目录 | 第73-74页 |
| Paper 1 | 第74-88页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第88页 |
