MOS器件高k介质缺陷电荷俘获与噪声相关性研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-9页 |
| ·研究背景与意义 | 第7-8页 |
| ·论文结构 | 第8-9页 |
| 第二章 MOS 器件高k 介质缺陷电荷俘获研究 | 第9-29页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·MOS 器件高k 介质缺陷特性 | 第9-20页 |
| ·高k 介质选择 | 第9-12页 |
| ·HfO_2高k介质陷阱能级 | 第12-16页 |
| ·界面层（IL）引入减少缺陷 | 第16-17页 |
| ·MOS 器件高k 栅栈缺陷分布 | 第17-19页 |
| ·高k 栅栈陷阱电荷俘获参量 | 第19-20页 |
| ·MOS 器件高k 栅栈缺陷电荷俘获 | 第20-29页 |
| ·MOS 器件高k 介质电子俘获过程 | 第20-23页 |
| ·共振隧穿机制 | 第23-25页 |
| ·高k 栅栈共振隧穿结构 | 第25-27页 |
| ·高k 栅栈共振隧穿机制理论分析 | 第27-29页 |
| 第三章 高k 介质MOS 器件1/fγ噪声研究 | 第29-43页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·MOS 器件的1/f 噪声理论 | 第29-32页 |
| ·高k 栅栈MOS 器件的1/fγ噪声特性 | 第32-35页 |
| ·介质类型对噪声幅度的影响 | 第32-34页 |
| ·介质层厚度对噪声幅度的影响 | 第34-35页 |
| ·高k 栅栈MOS 器件1/f 噪声新隧穿机制 | 第35-39页 |
| ·低频噪声中的共振隧穿分量 | 第35-37页 |
| ·共振隧穿1/f 噪声影响因素分析 | 第37-39页 |
| ·超薄高k 栅栈MOS 器件1/f 噪声机制 | 第39-43页 |
| ·N 型MOS 器件1/f 噪声迁移率涨落机制 | 第39-40页 |
| ·对迁移率涨落机制的解释 | 第40-43页 |
| 第四章 缺陷电荷俘获与噪声相关性研究 | 第43-53页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·直接隧穿电荷俘获与噪声相关性 | 第43-48页 |
| ·1/f 噪声直接隧穿机制模型 | 第43-45页 |
| ·高k 介质器件噪声幅度的理论解释 | 第45页 |
| ·高k 介质类型与1/f 噪声幅度的关系 | 第45-46页 |
| ·高k 介质厚度与1/f 噪声幅度的关系模型 | 第46-48页 |
| ·共振隧穿电荷俘获与1/f 噪声相关性 | 第48-53页 |
| ·共振隧穿电荷俘获噪声模型 | 第48-50页 |
| ·模型验证 | 第50-51页 |
| ·共振隧穿与1/f 噪声相关性分析 | 第51-53页 |
| 第五章 结论与展望 | 第53-55页 |
| ·论文总结 | 第53页 |
| ·展望 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
