| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·碳化硅材料以及碳化硅MESFETs的优势和研究意义 | 第7-8页 |
| ·4H-SiC MESFET研究现状与存在的问题 | 第8-11页 |
| ·4H-SiC MESFET国内外研究现状 | 第8-9页 |
| ·4H-SiC MESFET研究过程中存在的问题 | 第9-11页 |
| ·本文主要工作 | 第11-13页 |
| 第二章 4H-SiC MESFET的基本模型和器件特性 | 第13-21页 |
| ·ISE TCAD器件模拟中的模型和参数选取 | 第13-14页 |
| ·ISE TCAD模拟工具简介 | 第13页 |
| ·算法设置 | 第13-14页 |
| ·基本方程 | 第14页 |
| ·4H-SiC MESFET的基本模型和研究方法 | 第14-19页 |
| ·材料特性的模型与参数 | 第14-18页 |
| ·边界条件 | 第18页 |
| ·表面陷阱对MESFET器件的影响 | 第18-19页 |
| ·本章小结 | 第19-21页 |
| 第三章 埋沟-埋栅型4H-SiC MESFET结构设计、仿真与工艺 | 第21-43页 |
| ·埋沟-埋栅型MESFET模型的建立 | 第21-22页 |
| ·表面陷阱对埋沟-埋栅型MESFET的影响 | 第22-24页 |
| ·衬底厚度在模拟仿真中对器件的影响 | 第22-23页 |
| ·表面陷阱对器件特性的影响 | 第23-24页 |
| ·埋沟-埋栅型MESFET的直流特性 | 第24-28页 |
| ·确定n型缓冲隔离层的最佳厚度 | 第24-25页 |
| ·埋栅深度对直流特性的影响 | 第25-27页 |
| ·杂质不完全离化与温度对直流特性的影响 | 第27-28页 |
| ·埋沟-埋栅型MESFET的瞬态特性 | 第28-33页 |
| ·转移特性的仿真 | 第28-29页 |
| ·表面陷阱对瞬态特性的影响 | 第29-31页 |
| ·方波输入电压的瞬态特性仿真 | 第31-32页 |
| ·脉冲输入电压的瞬态特性仿真 | 第32-33页 |
| ·埋沟-埋栅型MESFET的交流小信号特性 | 第33-36页 |
| ·小信号正弦分析方法及参数 | 第33-35页 |
| ·交流小信号各项特性的仿真及分析 | 第35-36页 |
| ·埋沟-埋栅型MESFET的工艺研究及研制前的准备 | 第36-41页 |
| ·工艺选择 | 第36-37页 |
| ·用于实验的外延材料结构参数 | 第37-38页 |
| ·工艺版图的设计 | 第38-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 具有场板结构的埋沟-埋栅型MESFET设计 | 第43-53页 |
| ·具有场板结构的埋沟-埋栅型MESFET模型的建立 | 第43-44页 |
| ·场板结构对直流特性的影响 | 第44-47页 |
| ·具有场板结构的埋沟-埋栅型MESFET与传统结构的对比 | 第44页 |
| ·场板结构对直流输出特性的影响 | 第44-45页 |
| ·场板结构对直流输入特性的影响 | 第45-46页 |
| ·场板结构对瞬态特性的影响 | 第46-47页 |
| ·场板结构对交流小信号特性的影响 | 第47-49页 |
| ·跨导和漏导的分析 | 第47-48页 |
| ·栅漏电容和栅源电容的分析 | 第48-49页 |
| ·截止频率和最高自激振荡频率的计算 | 第49页 |
| ·场板结构对击穿特性的影响 | 第49-52页 |
| ·场板结构的引入对器件击穿特性的影响 | 第49-50页 |
| ·场板长度的变化对器件特性的影响 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 双沟道MESFET结构的仿真及沟道参数的优化 | 第53-59页 |
| ·双沟道MESFET结构基本模型的建立 | 第53-54页 |
| ·双沟道MESFET结构沟道参数的优化 | 第54-57页 |
| ·表面陷阱对双沟道结构的影响 | 第54页 |
| ·直流输出特性的仿真与实验数据的对比 | 第54-55页 |
| ·双沟道结构与传统结构直流特性的对比 | 第55-56页 |
| ·最佳沟道参数的提出 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 第六章 结束语 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 硕士期间参加课题 | 第67页 |
| 发表论文及专利申请 | 第67页 |
| 硕士期间获奖情况 | 第67-68页 |
