4H-SiC功率MOSFET特性研究与器件模拟
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·SiC功率MOSFET发展现状 | 第7-9页 |
| ·SiC功率MOSFET的研究意义和存在的问题 | 第9-10页 |
| ·本文的主要工作 | 第10-11页 |
| 第二章 SiC功率器件基础 | 第11-23页 |
| ·SiC基本性质 | 第11-14页 |
| ·功率MOSFET基本结构 | 第14-16页 |
| ·UMOSFET结构及特点 | 第15页 |
| ·DMOSFET结构及特点 | 第15-16页 |
| ·功率MOSFET的优点 | 第16-18页 |
| ·器件模拟参数选取 | 第18-21页 |
| ·基本模型 | 第19-20页 |
| ·材料特性的模型与参数 | 第20-21页 |
| ·本章小结 | 第21-23页 |
| 第三章 功率MOSFET的工作原理和结构设计 | 第23-33页 |
| ·功率MOSFET的工作原理 | 第23-24页 |
| ·功率MOSFET的电学参数 | 第24-31页 |
| ·静态参数 | 第24-27页 |
| ·动态参数 | 第27-29页 |
| ·极限参数 | 第29-31页 |
| ·功率MOSFET器件结构 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 4H-SiC功率MOSFET器件模拟 | 第33-45页 |
| ·器件参数对阈值电压的影响 | 第33-36页 |
| ·P基区对阈值电压的影响 | 第33-34页 |
| ·氧化层厚度对阈值电压的影响 | 第34-36页 |
| ·器件阻断特性模拟研究 | 第36-38页 |
| ·器件参数对特征导通电阻的影响 | 第38-41页 |
| ·沟道电阻R_(ch)和积累层电阻R_a | 第38-39页 |
| ·漂移区电阻R_e | 第39-40页 |
| ·JFET区电阻R_j | 第40-41页 |
| ·器件参数的优化 | 第41-43页 |
| ·漂移区浓度n_(epi) | 第42页 |
| ·CSL层浓度n_(csl) | 第42-43页 |
| ·JFET区浓度n_j | 第43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第五章 结束语 | 第45-47页 |
| 致谢 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 攻读硕士研究生期间的研究成果 | 第51-52页 |
