| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·毫米波功率器件的研究意义 | 第7-8页 |
| ·GaN 材料应用于毫米波器件的优势 | 第8-9页 |
| ·GaN 基HEMT 毫米波器件研究进展 | 第9-11页 |
| ·本文研究内容 | 第11-13页 |
| 第二章 AlGaN/GaN 异质结材料生长与器件理论研究 | 第13-33页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结研究 | 第13-19页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结 | 第13-15页 |
| ·势垒层Al 组分对沟道电子气的影响 | 第15-17页 |
| ·势垒层厚度对沟道电子气的影响 | 第17-18页 |
| ·短沟道效应 | 第18-19页 |
| ·GaN 材料的生长研究 | 第19-26页 |
| ·GaN 晶体的生长 | 第19-21页 |
| ·MOCVD 系统 | 第21-23页 |
| ·基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN 异质结生长 | 第23-26页 |
| ·基于SiC 衬底的AlGaN/GaN 异质结生长 | 第26页 |
| ·HEMT 器件的直流特性分析 | 第26-31页 |
| ·本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 薄势垒层器件研究 | 第33-43页 |
| ·薄势垒层结构材料的电特性 | 第33-35页 |
| ·带AlN 插入层的薄势垒层材料生长研究 | 第35-38页 |
| ·AlN 势垒插入层分析 | 第35-37页 |
| ·薄势垒层材料的生长 | 第37-38页 |
| ·薄势垒层器件实验结果及分析 | 第38-41页 |
| ·薄势垒层器件的实验结果 | 第38-39页 |
| ·薄势垒层器件自热效应的分析 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 高频凹槽栅器件研究 | 第43-57页 |
| ·刻蚀对GaN 材料损伤的研究 | 第43-48页 |
| ·GaN 刻蚀采用的工艺 | 第43-45页 |
| ·刻蚀对GaN 材料的损伤 | 第45-48页 |
| ·最佳凹槽栅刻蚀时间的选择 | 第48-51页 |
| ·短栅长槽栅HEMT 器件实验结果及分析 | 第51-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 结束语 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |