600V Trench FS IGBT的设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第10-15页 |
| 1.1 半导体功率器件简介 | 第10-12页 |
| 1.2 IGBT器件的发展概况 | 第12-13页 |
| 1.3 本论文的研究意义 | 第13-14页 |
| 1.4 本论文的主要工作 | 第14-15页 |
| 第二章 Trench FS IGBT基本理论 | 第15-30页 |
| 2.1 IGBT基本器件结构 | 第15-19页 |
| 2.2 Trench FS IGBT的静态特性 | 第19-25页 |
| 2.2.1 正向导通特性 | 第20-22页 |
| 2.2.2 正向阻断特性 | 第22-23页 |
| 2.2.3 饱和电流模型 | 第23-25页 |
| 2.3 Trench FS IGBT的开关特性 | 第25-29页 |
| 2.3.1 开通过程 | 第26-28页 |
| 2.3.2 关断过程 | 第28-29页 |
| 2.4 小结 | 第29-30页 |
| 第三章 Trench FS IGBT元胞设计 | 第30-52页 |
| 3.1 工艺流程设计 | 第30-33页 |
| 3.2 Trench FS IGBT元胞结构设计 | 第33-50页 |
| 3.2.1 N型漂移区仿真优化 | 第33-36页 |
| 3.2.2 Pbody区仿真优化 | 第36-39页 |
| 3.2.3 FS层及P+集电区仿真优化 | 第39-40页 |
| 3.2.4 Trench结构仿真优化 | 第40-44页 |
| 3.2.5 元胞宽度优化 | 第44-46页 |
| 3.2.6 dummy结构设计 | 第46-49页 |
| 3.2.7 元胞工艺参数的确定 | 第49-50页 |
| 3.3 Trench FS IGBT关断特性仿真 | 第50-51页 |
| 3.4 小结 | 第51-52页 |
| 第四章 Trench FS IGBT版图设计 | 第52-60页 |
| 4.1 终端结构设计 | 第52-57页 |
| 4.1.1 终端理论分析 | 第52-54页 |
| 4.1.2 终端结构仿真设计 | 第54-57页 |
| 4.2 版图设计 | 第57-59页 |
| 4.2.1 有源区版图设计 | 第57-58页 |
| 4.2.2 Pad区版图设计 | 第58页 |
| 4.2.3 终端部分版图设计 | 第58-59页 |
| 4.3 小结 | 第59-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第65-66页 |
