| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第10页 |
| 1.2 有序AAO膜制备工艺概述 | 第10-14页 |
| 1.2.1 二次阳极氧化法 | 第10-11页 |
| 1.2.2 预先刻印法 | 第11-14页 |
| 1.3 AAO膜在纳米材料制备上的应用 | 第14-16页 |
| 1.3.1 AAO膜制备纳米材料的优点 | 第14页 |
| 1.3.2 AAO膜制备纳米材料 | 第14-16页 |
| 1.4 本文的主要研究目的和研究内容 | 第16-17页 |
| 1.4.1 研究目的 | 第16页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第16-17页 |
| 2 纳米软压印技术的研究 | 第17-38页 |
| 2.1 实验部分 | 第17-24页 |
| 2.1.1 实验试剂及设备 | 第17-18页 |
| 2.1.2 PDMS软模板的制备 | 第18-21页 |
| 2.1.3 铝片表面软压印的实现 | 第21-22页 |
| 2.1.4 铝片表面纳米凹坑的制备 | 第22-24页 |
| 2.2 结果与讨论 | 第24-37页 |
| 2.2.1 四角密排软模板制备纳米凹坑的研究 | 第24-28页 |
| 2.2.2 柱高500 nm的六角密排软模板制备纳米凹坑的研究 | 第28-33页 |
| 2.2.3 柱高700 nm的六角密排软模板制备纳米凹坑的研究 | 第33-37页 |
| 2.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 3 四角密排软模板对AAO膜形貌的影响 | 第38-48页 |
| 3.1 实验部分 | 第38-39页 |
| 3.1.1 实验试剂与设备 | 第38页 |
| 3.1.2 大面积大孔间距AAO的制备 | 第38-39页 |
| 3.1.3 大面积AAO膜的氧化条件 | 第39页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第39-47页 |
| 3.2.1 铝片表面凹坑对AAO膜的影响 | 第39-44页 |
| 3.2.2 电解液中磷酸浓度对AAO膜的影响 | 第44-45页 |
| 3.2.3 二次氧化和一次氧化的对比 | 第45-47页 |
| 3.3 本章小结 | 第47-48页 |
| 4 六角密排纳米软模板制备大面积大孔间距高度有序AAO膜 | 第48-58页 |
| 4.1 实验部分 | 第48页 |
| 4.1.1 实验试剂与设备 | 第48页 |
| 4.1.2 大面积大孔间距AAO的制备 | 第48页 |
| 4.1.3 大面积AAO膜的氧化条件 | 第48页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第48-56页 |
| 4.2.1 凹坑深度对AAO膜的影响 | 第48-51页 |
| 4.2.2 电解液浓度对大面积AAO的影响 | 第51-53页 |
| 4.2.3 二次氧化和一次氧化的对比 | 第53-55页 |
| 4.2.4 电场模拟及AAO形成机理研究 | 第55-56页 |
| 4.3 本章小结 | 第56-58页 |
| 5 结论与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 主要结论 | 第58-59页 |
| 5.2 主要创新点 | 第59页 |
| 5.3 工作展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-68页 |
| 附录 | 第68页 |
