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PECVD氮化硅薄膜性能研究及热学测试结构设计

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第10-21页
    1.1 氮化硅薄膜概述第10页
    1.2 薄膜热学性能测试的相关原理及现状第10-16页
        1.2.1 薄膜热学性能测试现状第10-11页
        1.2.2 薄膜热导率概述第11-14页
        1.2.3 热扩散率概述第14-15页
        1.2.4 热容概述第15-16页
    1.3 氮化硅薄膜的主要制备方法第16-19页
        1.3.1 常压化学气相沉积(APCVD)第16-17页
        1.3.2 低压化学气相沉积法(LPCVD)第17页
        1.3.3 等离子增强型化学气相沉积法(PECVD)第17-19页
    1.4 本论文的意义和主要工作第19-21页
        1.4.1 本论文的意义第19页
        1.4.2 本论文的主要工作第19-21页
第二章 高频氮化硅薄膜的特性第21-34页
    2.1 设备简介第21-22页
    2.2 椭偏法测试薄膜的折射率及厚度第22-24页
    2.3 不同的气流量比对高频氮化硅薄膜性能的影响第24-27页
    2.4 不同的基板温度对高频氮化硅薄膜性能的影响第27-30页
    2.5 不同的压强对高频氮化硅薄膜性能的影响第30-32页
    2.6 本章小结第32-34页
第三章 热导率测试结构的概述和仿真分析第34-48页
    3.1 直流法测试热导率结构的概述第34-35页
    3.2 有限元法及COMSOL Multiphysics仿真软件第35-38页
        3.2.1 有限元法概述第35-36页
        3.2.2 COMSOL Multiphysics软件概述第36-37页
        3.2.3 COMSOL在弱耦合和强耦合的多物理场问题的应用第37-38页
    3.3 热导率测试结构的仿真分析第38-47页
        3.3.1 热导率测试结构的热学仿真分析第38-45页
        3.3.2 热导率测试结构的力学仿真分析第45-47页
    3.4 本章小结第47-48页
第四章 热导率测试结构的设计和流片第48-61页
    4.1.实验材料的概述第48-50页
    4.2 热导率测试结构的掩膜版设计第50-52页
    4.3 热导率测试结构的流片工艺第52-59页
        4.3.1 实验室完整的MEMS工艺平台和测试分析仪器第52-53页
        4.3.2 热导率测试结构的详细流片工艺第53-59页
    4.4 本章小结第59-61页
第五章 总结和展望第61-63页
    5.1 论文主要工作及结论第61-62页
    5.2 工作的发展与展望第62-63页
致谢第63-64页
参考文献第64-68页
攻读硕士期间取得的研究成果第68-69页

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