| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 氮化硅薄膜概述 | 第10页 |
| 1.2 薄膜热学性能测试的相关原理及现状 | 第10-16页 |
| 1.2.1 薄膜热学性能测试现状 | 第10-11页 |
| 1.2.2 薄膜热导率概述 | 第11-14页 |
| 1.2.3 热扩散率概述 | 第14-15页 |
| 1.2.4 热容概述 | 第15-16页 |
| 1.3 氮化硅薄膜的主要制备方法 | 第16-19页 |
| 1.3.1 常压化学气相沉积(APCVD) | 第16-17页 |
| 1.3.2 低压化学气相沉积法(LPCVD) | 第17页 |
| 1.3.3 等离子增强型化学气相沉积法(PECVD) | 第17-19页 |
| 1.4 本论文的意义和主要工作 | 第19-21页 |
| 1.4.1 本论文的意义 | 第19页 |
| 1.4.2 本论文的主要工作 | 第19-21页 |
| 第二章 高频氮化硅薄膜的特性 | 第21-34页 |
| 2.1 设备简介 | 第21-22页 |
| 2.2 椭偏法测试薄膜的折射率及厚度 | 第22-24页 |
| 2.3 不同的气流量比对高频氮化硅薄膜性能的影响 | 第24-27页 |
| 2.4 不同的基板温度对高频氮化硅薄膜性能的影响 | 第27-30页 |
| 2.5 不同的压强对高频氮化硅薄膜性能的影响 | 第30-32页 |
| 2.6 本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 热导率测试结构的概述和仿真分析 | 第34-48页 |
| 3.1 直流法测试热导率结构的概述 | 第34-35页 |
| 3.2 有限元法及COMSOL Multiphysics仿真软件 | 第35-38页 |
| 3.2.1 有限元法概述 | 第35-36页 |
| 3.2.2 COMSOL Multiphysics软件概述 | 第36-37页 |
| 3.2.3 COMSOL在弱耦合和强耦合的多物理场问题的应用 | 第37-38页 |
| 3.3 热导率测试结构的仿真分析 | 第38-47页 |
| 3.3.1 热导率测试结构的热学仿真分析 | 第38-45页 |
| 3.3.2 热导率测试结构的力学仿真分析 | 第45-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 热导率测试结构的设计和流片 | 第48-61页 |
| 4.1.实验材料的概述 | 第48-50页 |
| 4.2 热导率测试结构的掩膜版设计 | 第50-52页 |
| 4.3 热导率测试结构的流片工艺 | 第52-59页 |
| 4.3.1 实验室完整的MEMS工艺平台和测试分析仪器 | 第52-53页 |
| 4.3.2 热导率测试结构的详细流片工艺 | 第53-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 总结和展望 | 第61-63页 |
| 5.1 论文主要工作及结论 | 第61-62页 |
| 5.2 工作的发展与展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第68-69页 |
