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纯及钐掺杂改性SnO2一维纳米材料的光电导及阻变存储性能研究

摘要第3-4页
abstract第4-5页
第1章 绪论第9-19页
    1.1 前言第9-10页
    1.2 SnO_2的基本性质第10-13页
        1.2.1 SnO_2的结构性质第10-11页
        1.2.2 SnO_2的光学性质第11-12页
        1.2.3 SnO_2的气敏性第12页
        1.2.4 SnO_2的压阻效应第12页
        1.2.5 SnO_2的电学和磁学性质第12-13页
    1.3 SnO_2纳米材料的制备方法第13-14页
        1.3.1 热蒸发法第13页
        1.3.2 水热法第13-14页
        1.3.3 溶胶-凝胶法第14页
    1.4 光电探测器简介第14-16页
        1.4.1 紫外光光电探测器第15页
        1.4.2 可见光光电探测器第15页
        1.4.3 红外光光电探测器第15-16页
    1.5 一维SnO_2纳米材料的研究进展第16-17页
    1.6 本论文主要研究内容第17-19页
第2章 SnO_2纳米线的制备及其电输运性能研究第19-28页
    2.1 引言第19-20页
    2.2 实验部分第20-23页
        2.2.1 主要实验材料和仪器第20-21页
        2.2.2 样品的制备第21-22页
        2.2.3 样品的表征及性能测试第22页
        2.2.4 场效应管的制备第22-23页
    2.3 实验结果与分析第23-25页
        2.3.1 样品的XRD与SEM分析第23页
        2.3.2 样品的TEM与EDS分析第23-25页
    2.4 样品的电输运性能测试及分析第25-27页
    2.5 本章小结第27-28页
第3章 SnO_2纳米线光电探测性能的研究第28-43页
    3.1 引言第28页
    3.2 实验部分第28-29页
        3.2.1 主要实验材料和仪器第28-29页
        3.2.2 光电探测器件的组装第29页
    3.3 样品的光电探测性能测试及分析第29-41页
        3.3.1 光电探测器光谱响应特性第30-31页
        3.3.2 光电探测器对单色光的响应特性第31-34页
        3.3.3 光电探测器的伏安特性曲线第34-37页
        3.3.4 光电探测器的光响应机理第37-40页
        3.3.5 温度对紫外光响应的影响第40-41页
    3.4 本章小结第41-43页
第4章 SnO_2:Sm纳米线的制备及其阻变存储性能的研究第43-57页
    4.1 引言第43页
    4.2 实验部分第43-44页
        4.2.1 主要实验材料和仪器第43页
        4.2.2 前驱体的制备第43-44页
        4.2.3 样品的制备第44页
        4.2.4 样品的表征及性能测试第44页
    4.3 实验结果与分析第44-46页
        4.3.1 样品的XRD与SEM分析第44-45页
        4.3.2 样品的XPS分析第45-46页
    4.4 样品的光电导性能测试及分析第46-48页
        4.4.1 光电探测器光谱响应特性第46-47页
        4.4.2 光电探测器对单色光的响应特性第47-48页
    4.5 样品的阻变存储性能测试及分析第48-55页
        4.5.1 I-V特性曲线的测试及分析第48-52页
        4.5.2 读写测试和相关分析第52-55页
    4.6 本章小结第55-57页
第5章 SnO_2和SnO_2:Sm纳米线的压阻效应和气敏性第57-64页
    5.1 引言第57页
    5.2 实验部分第57-58页
        5.2.1 主要实验材料和仪器第57页
        5.2.2 器件的制备第57-58页
    5.3 样品的压阻性能测试及分析第58-61页
        5.3.1 器件静态应变分析第59-60页
        5.3.2 器件动态应变分析第60-61页
    5.4 样品的气敏性能测试及分析第61-63页
    5.5 本章小结第63-64页
第6章 结论第64-67页
致谢第67-68页
参考文献第68-75页
攻读学位期间的研究成果第75页

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