| 摘要 | 第9-11页 |
| ABSTRACT | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第13-23页 |
| 1.1 课题研究背景与意义 | 第13-16页 |
| 1.1.1 SET成为纳米抗辐射集成电路软错误的主要因素 | 第13-14页 |
| 1.1.2 单粒子瞬态新特性的研究需求迫切 | 第14-15页 |
| 1.1.3 SET测试技术是开展相关研究的基础其重要性尤为突出 | 第15-16页 |
| 1.2 国内外相关研究现状与不足 | 第16-20页 |
| 1.2.1 SET试验表征技术的现状与趋势 | 第16-19页 |
| 1.2.2 SEMT测量系统的研究不足与挑战 | 第19-20页 |
| 1.3 课题研究内容与文章结构 | 第20-23页 |
| 1.3.1 本文的主要研究内容 | 第20-21页 |
| 1.3.2 本文的组织结构 | 第21-23页 |
| 第二章 SEMT测量技术研究 | 第23-31页 |
| 2.1 单SET测量电路回顾 | 第23-25页 |
| 2.2 SEMT测量技术 | 第25-29页 |
| 2.2.1 SEMT测量电路 | 第25-26页 |
| 2.2.2 电路的时序控制 | 第26-27页 |
| 2.2.3 电路的抗辐射加固设计 | 第27-29页 |
| 2.3 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 SEMT被测电路设计 | 第31-40页 |
| 3.1 单粒子瞬态的产生机理 | 第31-34页 |
| 3.1.1 研究现状 | 第31-33页 |
| 3.1.2 研究不足 | 第33-34页 |
| 3.2 SEMT产生电路设计 | 第34-38页 |
| 3.2.1 PMOS轰击单元设计 | 第34-36页 |
| 3.2.2 NMOS轰击单元设计 | 第36-37页 |
| 3.2.3 SEMT轰击链的设计 | 第37-38页 |
| 3.3 本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 SEMT测试芯片的设计及验证 | 第40-48页 |
| 4.1 测试芯片的设计 | 第40-44页 |
| 4.1.1 测试系统具体设置 | 第40-42页 |
| 4.1.2 测试芯片设计流程 | 第42-44页 |
| 4.2 芯片物理验证 | 第44-46页 |
| 4.3 芯片功能验证 | 第46-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 地面辐射试验 | 第48-63页 |
| 5.1 辐射试验平台简介 | 第48-50页 |
| 5.2 试验测试系统设计 | 第50-59页 |
| 5.2.1 SEMT测试硬件系统设计 | 第51-55页 |
| 5.2.2 SEMT测试软件设计 | 第55-59页 |
| 5.3 重离子辐射试验测量结果及分析 | 第59-61页 |
| 5.3.1 试验配置 | 第59-60页 |
| 5.3.2 实测数据和结果分析 | 第60-61页 |
| 5.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第六章 结束语 | 第63-67页 |
| 6.1 本文工作总结 | 第63-64页 |
| 6.2 未来工作展望 | 第64-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第75页 |