| 摘要 | 第9-11页 |
| Abstract | 第11页 |
| 第一章 绪论 | 第13-22页 |
| 1.1 课题背景 | 第13-15页 |
| 1.2 辐射所引起的效应 | 第15-20页 |
| 1.2.1 电子空穴对的产生 | 第15-17页 |
| 1.2.2 SET产生的机理 | 第17-18页 |
| 1.2.3 SEU产生的机理 | 第18-19页 |
| 1.2.4 电荷共享效应 | 第19页 |
| 1.2.5 双极效应 | 第19-20页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第20-21页 |
| 1.4 论文的组织结构 | 第21-22页 |
| 第二章 DICE存储单元的敏感性分析 | 第22-33页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 DICE存储单元的电路分析 | 第22-24页 |
| 2.3 敏感节点对的敏感特性分析 | 第24-32页 |
| 2.3.1 模拟环境的设置 | 第24-27页 |
| 2.3.2 模拟结果与分析 | 第27-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 工作电压与阱接触宽度对DICE敏感性的影响 | 第33-50页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 工作电压对DICE敏感性和LET翻转阈值的影响 | 第33-40页 |
| 3.2.1 工作电压对敏感特性曲线的影响 | 第33-37页 |
| 3.2.2 工作电压对LET翻转阈值的影响 | 第37-40页 |
| 3.3 阱接触宽度对DICE敏感性和LET翻转阈值的影响 | 第40-49页 |
| 3.3.1 阱接触宽度对敏感特性曲线的影响 | 第40-47页 |
| 3.3.2 阱接触宽度对LET翻转阈值的影响 | 第47-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 工艺因素对DICE敏感性的影响 | 第50-62页 |
| 4.1 引言 | 第50页 |
| 4.2 三阱工艺下DICE存储单元的敏感性分析 | 第50-57页 |
| 4.2.1 三阱工艺对敏感特性曲线的影响 | 第50-55页 |
| 4.2.2 三阱工艺对LET翻转阈值的影响 | 第55-57页 |
| 4.3 SOI工艺下DICE存储单元的敏感性分析 | 第57-60页 |
| 4.3.1 SOI工艺对敏感特性曲线的影响 | 第57-59页 |
| 4.3.2 SOI工艺对LET翻转阈值的影响 | 第59-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 第五章 DICE存储单元的加固设计 | 第62-73页 |
| 5.1 引言 | 第62页 |
| 5.2 双存储单元版图交错加固技术 | 第62-65页 |
| 5.3 多标准单元层加固技术 | 第65-69页 |
| 5.3.1 DHC加固技术 | 第65-67页 |
| 5.3.2 FHC加固技术 | 第67-69页 |
| 5.4 利用电荷共享效应的加固技术 | 第69-72页 |
| 5.5 本章小结 | 第72-73页 |
| 第六章 总结与展望 | 第73-75页 |
| 6.1 工作总结 | 第73-74页 |
| 6.2 研究工作展望 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-82页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第82页 |
