| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状及分析 | 第10-20页 |
| 1.2.1 集成电路典型退化效应分析 | 第10-13页 |
| 1.2.2 抗退化策略方法现状分析 | 第13-16页 |
| 1.2.3 电路静态功率来源及低功耗设计方法现状分析 | 第16-18页 |
| 1.2.4 输入向量控制法研究现状分析 | 第18-20页 |
| 1.3 本文研究内容与结构 | 第20-23页 |
| 第2章 集成电路NBTI效应与静态功率建模方法研究 | 第23-31页 |
| 2.1 引言 | 第23页 |
| 2.2 N BTI效应下集成电路延迟退化建模分析 | 第23-28页 |
| 2.2.1 基于反应-扩散模型的N BTI效应物理模型 | 第23-24页 |
| 2.2.2 N BTI效应下PMOS晶体管阈值电压退化建模方法 | 第24-26页 |
| 2.2.3 N BTI效应下的门电路延迟退化建模方法 | 第26-28页 |
| 2.3 集成电路静态功率建模方法研究 | 第28-29页 |
| 2.4 输入向量对电路静态功率和延迟退化指标影响分析 | 第29-30页 |
| 2.4.1 输入向量对电路静态功率的影响分析 | 第29页 |
| 2.4.2 输入向量对电路延迟退化的影响分析 | 第29-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 基于线性规划策略的输入向量控制方法 | 第31-38页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 输入向量控制法介绍 | 第31-32页 |
| 3.3 面向NBTI效应的输入向量控制方法 | 第32-34页 |
| 3.4 面向静态功率约减的输入向量控制方法 | 第34-35页 |
| 3.5 传统输入向量控制法问题分析 | 第35-36页 |
| 3.6 本章小结 | 第36-38页 |
| 第4章 考虑NBTI效应的静态功率自适应约减方法 | 第38-56页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 N BTI效应对于集成电路静态功率影响分析 | 第38-40页 |
| 4.3 基于支持向量回归的门电路静态功率建模方法 | 第40-43页 |
| 4.4 静态功率自适应约减方法实现 | 第43-46页 |
| 4.4.1 PMOS晶体管累积性老化分析 | 第43-44页 |
| 4.4.2 静态功率自适应约减方法实现过程 | 第44-46页 |
| 4.5 静态功率自适应约减方法验证 | 第46-55页 |
| 4.5.1 实验设置 | 第46-47页 |
| 4.5.2 基于SVR静态功率模型误差分析 | 第47-49页 |
| 4.5.3 静态功率自适应约减法效果分析 | 第49-55页 |
| 4.6 本章小结 | 第55-56页 |
| 第5章 集成电路NBTI效应和静态功率联合约减方法 | 第56-70页 |
| 5.1 引言 | 第56页 |
| 5.2 潜在关键路径分析 | 第56-58页 |
| 5.3 N BTI延迟退化与静态功率联合优化方法实现 | 第58-61页 |
| 5.3.1 基于ILP策略的延迟与静态功率联合优化方法建模 | 第58-60页 |
| 5.3.2 N BTI延迟退化与静态功率联合优化方法实现过程 | 第60-61页 |
| 5.4 N BTI延迟退化与静态功率联合优化方法验证 | 第61-69页 |
| 5.4.1 实验设置 | 第61-62页 |
| 5.4.2 不同IVC方法优化效果分析 | 第62-65页 |
| 5.4.3 IVC与SVA联合方法效果分析 | 第65-69页 |
| 5.5 本章小结 | 第69-70页 |
| 结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-79页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81页 |
