| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 热电材料的研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 热电学基础 | 第11-13页 |
| 1.2.1 塞贝克效应 | 第12-13页 |
| 1.2.2 帕尔贴效应 | 第13页 |
| 1.2.3 汤姆逊效应 | 第13页 |
| 1.3 热电输运特性 | 第13-16页 |
| 1.3.1 塞贝克系数 | 第13-14页 |
| 1.3.2 电导率 | 第14-15页 |
| 1.3.3 热导率 | 第15-16页 |
| 1.4 第一性原理计算的基础知识 | 第16-18页 |
| 1.4.1 第一性原理计算的背景及意义 | 第16页 |
| 1.4.2 密度泛函理论 | 第16-18页 |
| 1.4.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第17页 |
| 1.4.2.2 Kohn-Sham方程 | 第17页 |
| 1.4.2.3 局域密度近似 | 第17-18页 |
| 1.4.2.4 广义梯度近似 | 第18页 |
| 1.5 第一布里渊区 | 第18-19页 |
| 1.6 计算使用的软件 | 第19-22页 |
| 1.6.1 WIEN2k软件介绍 | 第19-21页 |
| 1.6.2 BoltzTraP软件介绍 | 第21页 |
| 1.6.3 计算的具体步骤 | 第21-22页 |
| 1.7 本文研究意义和主要内容 | 第22-24页 |
| 第二章 CrXTe_3(X=Si,Ge,Sn)的第一性原理计算 | 第24-38页 |
| 2.1 研究背景及意义 | 第24页 |
| 2.2 晶体结构及优化 | 第24-28页 |
| 2.3 电子结构性质 | 第28-31页 |
| 2.3.1 状态密度 | 第28-30页 |
| 2.3.1.1 CrSiTe_3的状态密度 | 第28页 |
| 2.3.1.2 CrGeTe_3的状态密度 | 第28-29页 |
| 2.3.1.3 CrSnTe_3的状态密度 | 第29-30页 |
| 2.3.2 能带结构 | 第30-31页 |
| 2.3.2.1 CrSiTe_3的能带结构 | 第30页 |
| 2.3.2.2 CrGeTe_3的能带结构 | 第30-31页 |
| 2.3.2.3 CrSnTe_3的能带结构 | 第31页 |
| 2.4 热电输运性质 | 第31-37页 |
| 2.4.1 赛贝克系数 | 第32-35页 |
| 2.4.1.1 CrSiTe_3的赛贝克系数 | 第32-33页 |
| 2.4.1.2 CrGeTe_3的赛贝克系数 | 第33-34页 |
| 2.4.1.3 CrSnTe_3的赛贝克系数 | 第34-35页 |
| 2.4.2 电阻率 | 第35-37页 |
| 2.4.2.1 CrSiTe_3的电阻率 | 第35页 |
| 2.4.2.2 CrGeTe_3的电阻率 | 第35-36页 |
| 2.4.2.3 CrSnTe_3的电阻率及功率因子 | 第36-37页 |
| 2.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 AlXTe_3(X=Si, Ge, Sn)的第一性原理计算 | 第38-52页 |
| 3.1 研究背景及意义 | 第38页 |
| 3.2 晶体结构及优化 | 第38-41页 |
| 3.3 电子结构性质 | 第41-44页 |
| 3.3.1 状态密度 | 第41-43页 |
| 3.3.1.1 AlSiTe_3的状态密度 | 第41页 |
| 3.3.1.2 AlGeTe_3的状态密度 | 第41-42页 |
| 3.3.1.3 AlSnTe_3的状态密度 | 第42-43页 |
| 3.3.2 能带结构 | 第43-44页 |
| 3.3.2.1 AlSiTe_3的能带结构 | 第43页 |
| 3.3.2.2 AlGeTe_3的能带结构 | 第43-44页 |
| 3.3.2.3 AlSnTe_3的能带结构 | 第44页 |
| 3.4 热电输运性质 | 第44-50页 |
| 3.4.1 赛贝克系数 | 第44-47页 |
| 3.4.1.1 AlSiTe_3的赛贝克系数 | 第44-45页 |
| 3.4.1.2 AlGeTe_3的赛贝克系数 | 第45-46页 |
| 3.4.1.3 AlSnTe_3的赛贝克系数 | 第46-47页 |
| 3.4.2 电阻率 | 第47-50页 |
| 3.4.2.1 AlSiTe_3的电阻率 | 第47-48页 |
| 3.4.2.2 AlGeTe_3的电阻率 | 第48-49页 |
| 3.4.2.3 AlSnTe_3的电阻率 | 第49-50页 |
| 3.5 AlXTe_3(X=Si, Ge, Sn)的功率因子 | 第50-51页 |
| 3.6 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 TXTe_3(T=Al, Cr; X=Si, Ge, Sn)的对比研究 | 第52-54页 |
| 4.1 研究背景及意义 | 第52页 |
| 4.2 晶体结构参数对比 | 第52页 |
| 4.3 禁带宽度对比分析 | 第52-53页 |
| 4.4 功率因子对比分析 | 第53-54页 |
| 第五章 MoS_2的第一性原理计算 | 第54-58页 |
| 5.1 MoS_2的研究背景及意义 | 第54页 |
| 5.2 MoS_2的结构模型 | 第54-55页 |
| 5.3 MoS_2的电子结构性质 | 第55-57页 |
| 5.3.1 状态密度 | 第55-56页 |
| 5.3.2 能带结构 | 第56-57页 |
| 5.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第六章 结论与展望 | 第58-59页 |
| 6.1 结论 | 第58页 |
| 6.2 展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 附录 | 第63页 |
