| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-40页 |
| ·科学技术推动世界绿色、低碳可持续发展 | 第14-16页 |
| ·当前能源相关研究的几个前沿和热点 | 第16-27页 |
| ·基于Ⅲ族氮化物半导体的固体照明器件 | 第16-21页 |
| ·基于热电效应的固体热电转换器件 | 第21-24页 |
| ·基于光伏效应的太阳能电池器件 | 第24-27页 |
| ·半导体能带工程和动力学输运理论简介 | 第27-32页 |
| ·半导体能带工程与k·p微扰理论 | 第27-30页 |
| ·动力学输运理论与Boltzmann方程 | 第30-32页 |
| ·论文选题思路和主要内容 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-40页 |
| 第二章 Ⅲ族氮化物能带工程及其发光性质研究 | 第40-76页 |
| ·引言 | 第40-41页 |
| ·Ⅲ族氮化物能带的k·p微扰理论 | 第41-45页 |
| ·GaN的应变和极化能带工程 | 第45-61页 |
| ·双轴应变对GaN能带及其光、电学性质的调控 | 第45-53页 |
| ·c面GaN在不对称应变作用下的面内光学各向异性 | 第53-58页 |
| ·m面GaN的光学各向异性和能带分裂 | 第58-61页 |
| ·m面InN薄膜的结构和光学各向异性 | 第61-65页 |
| ·AlN的能带改性 | 第65-70页 |
| ·本章小结 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 第三章 Al(Ga,In)N合金体系的能带与紫外发光调控 | 第76-98页 |
| ·引言 | 第76-77页 |
| ·生长模板对AlGaN和AlInN合金紫外发光的影响 | 第77-83页 |
| ·AlGaN薄膜赝晶生长在GaN和AlN模板上的情形 | 第79-82页 |
| ·AlInN薄膜赝晶生长在GaN和AlN模板上的情形 | 第82-83页 |
| ·外加应变对AlGaN合金紫外发光效率的调制 | 第83-89页 |
| ·赝晶生长的Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N异质结构的紫外发光研究 | 第89-93页 |
| ·本章小结 | 第93-96页 |
| 参考文献 | 第96-98页 |
| 第四章 Ⅲ族氮化物薄膜和非均匀结构中的热电性质 | 第98-118页 |
| ·引言 | 第98-99页 |
| ·InN和InGaN的热学和热电性质研究 | 第99-106页 |
| ·非均匀、双极性半导体结构中电热驱动的涡旋电流 | 第106-114页 |
| ·本章小结 | 第114-115页 |
| 参考文献 | 第115-118页 |
| 第五章 半导体低维结构中的动力学输运研究 | 第118-142页 |
| ·引言 | 第118-119页 |
| ·纳米线在局域载流子调制下的动力学输运过程 | 第119-131页 |
| ·铁电材料纳米畴界处的高效光伏效应 | 第131-137页 |
| ·本章小结 | 第137-139页 |
| 参考文献 | 第139-142页 |
| 第六章 结论与展望 | 第142-146页 |
| ·研究总结 | 第142-145页 |
| ·展望 | 第145-146页 |
| 致谢 | 第146-148页 |
| 攻读研究生期间发表学术论文，参加学术会议和申请专利情况 | 第148-154页 |
