| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-30页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·紫外探测技术 | 第11-13页 |
| ·宽带隙半导体紫外探测器 | 第13-14页 |
| ·半导体紫外探测器的主要参数及其物理含义 | 第14-16页 |
| ·响应度、量子效率及增益 | 第14-15页 |
| ·响应速度 | 第15页 |
| ·噪声等效光功率与探测率 | 第15-16页 |
| ·固态紫外探测器的结构 | 第16-18页 |
| ·Ⅲ族氮化物紫外光电探测器 | 第18-24页 |
| ·Ⅲ族氮化物的基本特性 | 第18-20页 |
| ·Ⅲ族氮化物的制备方法 | 第20-22页 |
| ·Ⅲ族氮化物半导体紫外探测器的研究现状 | 第22-24页 |
| ·本论文的研究内容 | 第24-26页 |
| 参考文献 | 第26-30页 |
| 第二章 同质外延GaN基MSM结构紫外探测器 | 第30-45页 |
| ·研究背景和意义 | 第30-31页 |
| ·同质外GaN材料制备与表征 | 第31-34页 |
| ·材料制备 | 第31页 |
| ·材料表征 | 第31-34页 |
| ·MSM结构紫外探测器的制备 | 第34页 |
| ·MSM结构紫外探测器的性能表征 | 第34-37页 |
| ·I-V特性 | 第34-36页 |
| ·光谱响应特性 | 第36-37页 |
| ·MSM结构紫外探测器的增益机制 | 第37-41页 |
| ·几种增益机制 | 第37-38页 |
| ·实验设计与分析 | 第38-40页 |
| ·增益机制的物理解释 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 参考文献 | 第43-45页 |
| 第三章 同质外延GaN基MSM结构紫外雪崩探测器 | 第45-58页 |
| ·研究背景和意义 | 第45页 |
| ·材料制备与表征 | 第45-47页 |
| ·器件制备 | 第47页 |
| ·器件表征 | 第47-53页 |
| ·I-V特性 | 第47-49页 |
| ·C-V特性 | 第49-50页 |
| ·光谱响应特性 | 第50-53页 |
| ·雪崩击穿特性 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 第四章 基于高阻GaN同质外延材料的偏置选择的双工作模式肖特基势垒紫外探测器 | 第58-69页 |
| ·研究背景与意义 | 第58页 |
| ·材料制备与表征 | 第58-59页 |
| ·器件制备 | 第59-60页 |
| ·器件性能表征与分析 | 第60-66页 |
| ·I-V特性 | 第60-62页 |
| ·光谱响应特性 | 第62-65页 |
| ·响应速度 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 第五章 AlGaN基日盲深紫外探测器 | 第69-86页 |
| ·研究背景与意义 | 第69-70页 |
| ·材料制备与表征 | 第70-73页 |
| ·器件制备 | 第73页 |
| ·器件性能表征与分析 | 第73-80页 |
| ·I-V特性 | 第73-76页 |
| ·光谱响应特性 | 第76-79页 |
| ·器件的响应速度 | 第79-80页 |
| ·大尺寸AlGaN日盲深紫外探测器 | 第80-83页 |
| ·研究意义 | 第80-81页 |
| ·材料制备与器件制作 | 第81-82页 |
| ·I-V特性 | 第82页 |
| ·光谱响应特性 | 第82-83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-86页 |
| 第六章 论文工作总结与展望 | 第86-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
| 发表论文目录 | 第90-92页 |