基于叶序排布抛光垫的抛光机理的若干研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-23页 |
| ·选题背景及意义 | 第12-13页 |
| ·CMP 相关问题的研究现状 | 第13-19页 |
| ·抛光垫的研究现状 | 第13-16页 |
| ·工件表面粗糙度的研究现状 | 第16-17页 |
| ·CMP 去除机理的研究现状 | 第17-19页 |
| ·本课题研究意义及来源 | 第19-21页 |
| ·课题研究意义 | 第19-21页 |
| ·课题来源 | 第21页 |
| ·本课题研究的目标和内容 | 第21-22页 |
| ·研究目标 | 第21页 |
| ·研究内容 | 第21-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第2章 叶序排布抛光垫 | 第23-32页 |
| ·叶序理论 | 第23-26页 |
| ·叶序的研究 | 第24页 |
| ·叶序结构的平面分布模型 | 第24-26页 |
| ·叶序排布抛光垫的设计 | 第26-28页 |
| ·叶序排布抛光垫的制造方法 | 第28-31页 |
| ·利用浇注法制作叶序排布抛光垫 | 第28-29页 |
| ·利用丝网印刷法制作叶序排布抛光垫 | 第29-30页 |
| ·利用电镀法制作叶序排布抛光垫 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 单晶硅片抛光后表面粗糙度的研究 | 第32-42页 |
| ·粗糙表面的分形行为 | 第32-34页 |
| ·分形的基本概念 | 第32-34页 |
| ·分形维数 | 第34页 |
| ·单晶硅片抛光后表面粗糙度模型 | 第34-40页 |
| ·波状表面接触理论 | 第34-36页 |
| ·基于Ｗ—Ｍ函数的粗糙度模型 | 第36-38页 |
| ·基于 M－B 函数的粗糙度模型 | 第38-39页 |
| ·关于表面几何形貌的创成量的描述 | 第39-40页 |
| ·关于理论分析的几点说明 | 第40-41页 |
| ·稳态粗糙度值 | 第41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第4章 叶序排布抛光垫材料去除率的研究 | 第42-53页 |
| ·CMP 去除机理 | 第42页 |
| ·机械作用下材料去除率 | 第42-47页 |
| ·垫、磨粒和硅片的接触模型 | 第42-44页 |
| ·有效磨粒数 | 第44-45页 |
| ·单颗磨粒切削硅片 | 第45页 |
| ·机械作用下材料去除率模型 | 第45-47页 |
| ·化学作用下材料去除率 | 第47-49页 |
| ·反应速率常数 | 第47-48页 |
| ·化学反应作用下材料去除模型 | 第48-49页 |
| ·机械与化学耦合作用下材料去除率模型 | 第49-50页 |
| ·理论公式曲线 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第5章 单晶硅片抛光实验 | 第53-70页 |
| ·单晶硅片光滑表面获得过程实验 | 第53-62页 |
| ·实验条件 | 第53-56页 |
| ·实验设计 | 第56-57页 |
| ·实验结果与分析 | 第57-62页 |
| ·叶序排布抛光垫去除率的实验 | 第62-68页 |
| ·实验装置及实验材料 | 第62页 |
| ·实验方案 | 第62-64页 |
| ·实验结果与分析 | 第64-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 结论与展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-77页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
