首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--微电子学、集成电路(IC)论文--一般性问题论文--设计论文

40 nm可制造标准单元库的设计与实现

摘要第1-6页
Abstract第6-10页
插图索引第10-12页
附表索引第12-13页
第1章 绪论第13-23页
   ·建库背景和意义第13-15页
   ·纳米时代面临的可制造性设计问题第15-19页
     ·纳米时代的光刻第15-17页
     ·纳米时代的化学机械抛光第17-18页
     ·纳米时代的其他可制造性问题第18-19页
   ·标准单元库的发展趋势第19-20页
   ·本论文的主要内容及结构安排第20-23页
     ·主要内容第20-21页
     ·本论文结构安排第21-23页
第2章 建库流程及设计方案第23-36页
   ·40 nm 可制造标准单元库建库流程第23-24页
   ·40 nm 可制造标准单元库单元的选定第24-28页
     ·组合逻辑单元第27页
     ·时序逻辑单元第27页
     ·特殊单元第27-28页
   ·单位驱动反相器的设计第28-29页
   ·其他逻辑单元尺寸的设计依据第29-31页
   ·单元电路结构的确定第31-34页
     ·多路选择器(MUX2)第31-33页
     ·锁存器(LAT)第33-34页
   ·本章小结第34-36页
第3章 40 nm 可制造标准单元库的设计第36-57页
   ·40 nm 标准单元库版图设计规范第36-41页
     ·40 nm 工艺设计规则第36-38页
     ·标准单元库版图设计规范第38-41页
   ·版图的可制造性优化第41-46页
     ·版图的 DFM 规则优化第42-43页
     ·版图的光学模拟仿真优化第43-46页
   ·单元版图物理验证第46-49页
     ·DRC 验证第47-48页
     ·LVS 验证第48-49页
   ·单元版图后仿真第49-51页
   ·单元库其他库模型的建立第51-56页
     ·综合库建立第51-53页
     ·仿真库建立第53页
     ·布局布线库建立第53-55页
     ·符号库的建立第55-56页
   ·本章小结第56-57页
第4章 40 nm 可制造标准单元库的验证第57-71页
   ·标准单元库的可制造性验证第57-59页
   ·标准单元库的性能验证第59-64页
   ·标准单元库流片验证第64-69页
     ·功能验证第66-67页
     ·时序性能验证第67-69页
   ·本章小结第69-71页
结论与展望第71-74页
参考文献第74-77页
致谢第77-78页
附录 A 攻读学位期间所发表的学术论文目录第78-79页
附录 B Milkyway 数据格式的提取脚本第79-83页

论文共83页,点击 下载论文
上一篇:适用于WCDMA 0.18μm工艺的上变频混频器
下一篇:通用高性能微处理器的低功耗片上存储系统研究