| 第一章 绪论 | 第1-21页 |
| §1．1 辐射环境、辐射效应及研究意义 | 第11-16页 |
| 1．1．1 辐射环境 | 第11-12页 |
| 1．1．2 基本辐射效应 | 第12-13页 |
| 1．1．3 立项背景及研究意义 | 第13-16页 |
| §1．2 国内外现状 | 第16-18页 |
| §1．3 本文的主要工作 | 第18-21页 |
| 第二章 MOS结构的电离辐射效应 | 第21-36页 |
| §2．1 MOS结构的电荷和陷阱 | 第21-22页 |
| §2．2 MOS器件的电离辐射效应 | 第22-25页 |
| 2．2．1 电子—空穴对的产生 | 第22页 |
| 2．2．2 电子空穴对的初始俘获及逃脱复合的空穴产额 | 第22-25页 |
| §2．3 电离辐射效应对MOS器件造成的影响 | 第25-28页 |
| §2．4 氧化物及界面态电荷的测量 | 第28-30页 |
| §2．5 电离辐射效应的损伤加固技术 | 第30-31页 |
| 2．5．1 工艺条件的改进 | 第30页 |
| 2．5．2 器件结构 | 第30-31页 |
| §2．6 器件数值模拟方法 | 第31-34页 |
| 2．6．1 漂移—扩散模型 | 第31-33页 |
| 2．6．2 数值求解方法 | 第33-34页 |
| §2．7 小结 | 第34-36页 |
| 第三章 单粒子效应的二维数值模拟 | 第36-56页 |
| §3．1 单粒子效应 | 第36-38页 |
| §3．2 单粒子翻转电荷漏斗模型 | 第38-39页 |
| §3．3 单粒子翻转物理模型及结果分析 | 第39-43页 |
| 3．3．1 单粒子翻转物理模型及器件结构 | 第39-40页 |
| 3．3．2 计算结果分析 | 第40-43页 |
| §3．4 SRAM电路的SEU模拟 | 第43-46页 |
| 3．4．1 SRAM存储单元及工作原理 | 第43-44页 |
| 3．4．2 模拟计算 | 第44-46页 |
| §3．5 N—沟道功率MOSFETS单粒子烧毁的二维数值模拟 | 第46-48页 |
| 3．5．1 N沟功率MOSFET工作原理 | 第46页 |
| 3．5．2 单粒子烧毁机制 | 第46-48页 |
| §3．6 理论模拟与实验结果比较 | 第48-50页 |
| §3．7 与单粒子烧毁灵敏度相关的几个参数 | 第50-53页 |
| §3．8 理论模拟与重离子微束研究 | 第53-55页 |
| §3．9 小结 | 第55-56页 |
| 第四章 微电路PN结瞬态辐照及快前沿电磁脉冲损伤数值模拟 | 第56-69页 |
| §4．1 微电路PN结瞬态电离辐射响应数值模拟 | 第56-62页 |
| 4．1．1 计算物理模型 | 第57-58页 |
| 4．1．2 模拟结果及讨论分析 | 第58-62页 |
| §4．2 不同上升时间快前沿电磁脉冲引起PN结失效、烧毁数值模拟 | 第62-67页 |
| 4．2．1 物理模型 | 第63页 |
| 4．2．2 计算结果分析 | 第63-67页 |
| §4．3 小结 | 第67-69页 |
| 第五章 MOS器件辐照产生的界面态陷阱性质 | 第69-79页 |
| §5．1 界面陷阱的产生及其性质 | 第69-71页 |
| 5．1．1 辐照前的界面态 | 第69页 |
| 5．1．2 辐照引入的氧化物陷阱电荷和界面态电荷 | 第69-70页 |
| 5．1．3 辐照后的界面态密度分布 | 第70-71页 |
| 5．1．4 辐照引入的界面陷阱的施主和受主性质及其对阈值电压的影响 | 第71页 |
| §5．2 实验研究 | 第71-74页 |
| §5．3 理论模拟 | 第74-78页 |
| §5．4 小结 | 第78-79页 |
| 第六章 X射线、Y射线引起的不同界面材料剂量增强效应的测量及理论模拟 | 第79-98页 |
| §6．1 X射线对Kovar封装材料的剂量增强效应的Monte-Carlo计算 | 第79-82页 |
| §6．2 产生相对剂量增强的机理 | 第82-87页 |
| §6．3 多层平板电离室测量几种结构界面的DEF | 第87-94页 |
| 6．3．1 电离室结构、测试原理及结果 | 第87-92页 |
| 6．3．2 理论模拟 | 第92-94页 |
| §6．4 γ射线的剂量增强效应 | 第94-95页 |
| §6．5 剂量增强与损伤增强 | 第95-97页 |
| §6．6 小结 | 第97-98页 |
| 第七章 稳态X射线辐照引起的剂量增强效应研究 | 第98-113页 |
| §7．1 双层膜结构的设计思路 | 第98-100页 |
| §7．2 CMOS 4069稳态X射线辐照剂量增强效应 | 第100-105页 |
| 7．2．1 双层膜结构测量X射线的相对剂量损伤增强效应 | 第100-102页 |
| 7．2．2 ~（60）Coγ射线与X射线总剂量效应辐照损伤比较 | 第102-105页 |
| §7．3 CMOS 4069γ射线CMOS器件的剂量损伤增强效应研究 | 第105-106页 |
| 7．3．1 屏蔽盒的设计 | 第105-106页 |
| 7．3．2 测量结果及分析 | 第106页 |
| §7．4 浮栅ROM器件剂量损伤增强效应研究 | 第106-111页 |
| 7．4．1 浮栅ROM器件的结构及存储原理 | 第107-108页 |
| 7．4．2 实验方法 | 第108页 |
| 7．4．3 实验结果与分析 | 第108-111页 |
| §7．5 小结 | 第111-113页 |
| 第八章 瞬态X射线引起CMOS器件剂量增强效应研究 | 第113-119页 |
| §8．1 瞬态辐照γ、X射线辐射损伤效应 | 第113-114页 |
| 8．1．1 瞬态γ、X射线辐射损伤效应之一：扰动 | 第113页 |
| 8．1．2 瞬态γ、X射线辐射损伤效应之二：闭锁 | 第113-114页 |
| §8．2 实验装置及方法 | 第114-116页 |
| §8．3 CMOS 4069X射线瞬态翻转辐照剂量损伤增强效应 | 第116-118页 |
| §8．4 小结 | 第118-119页 |
| 第九章 研究总结 | 第119-122页 |
| 致谢 | 第122-123页 |
| 参考文献 | 第123-134页 |
| 博士期间的学术论文及研究成果 | 第134-136页 |
