单电子器件的蒙特卡罗模拟

摘要	第1-4页
Abstract	第4-7页
1 单电子器件概述	第7-22页
·引言	第7-9页
·微电子技术现状和面临挑战	第7-8页
·本文主要工作介绍	第8-9页
·单电子器件的基本理论	第9-14页
·单电子器件的发展历史	第14-16页
·典型的单电子器件	第16-18页
·单电子盒	第16-17页
·单电子晶体管	第17-18页
·单电子器件的应用	第18-22页
·模拟电路	第18-19页
·数字电路	第19-22页
2 单电子器件的数值模拟方法	第22-27页
·SPICE电路模拟法	第22-23页
·主方程法	第23-25页
·蒙特卡罗法	第25-27页
3 单电子器件的电流—电压特性模拟	第27-32页
·单电子盒的库仑台阶效应	第27-28页
·单电子晶体管	第28-32页
·电流随栅压的变化	第29-30页
·电流随偏压的变化	第30-32页
4 单电子存储器的存储时间特性模拟	第32-48页
·多隧道结单电子存储器	第32-36页
·温度对存储时间的影响	第33-34页
·隧道结电容对存储时间的影响	第34-35页
·隧道结数目对存储时间的影响	第35-36页
·环型单电子存储器	第36-40页
·温度对存储时间的影响	第38-39页
·隧道结电容对存储时间的影响	第39-40页
·隧道结电阻对存储时间的影响	第40页
·对称陷阱型单电子存储器	第40-48页
·温度对存储时间的影响	第42-43页
·隧道结电容对存储时间的影响	第43-44页
·隧道结电阻对存储时间的影响	第44-45页
·电压对饱和电荷和存储时间的影响	第45-48页
5 结论	第48-49页
致谢	第49-50页
参考文献	第50-53页