| 第一章 绪论 | 第1-12页 |
| §1-1 选题的背景 | 第7-8页 |
| §1-2 硅衬底抛光的发展与现状 | 第8-11页 |
| 1-2-1 硅衬底抛光的发展状况 | 第8-11页 |
| 1-2-2 CMP市场分析 | 第11页 |
| §1-3 本课题完成的工作 | 第11-12页 |
| 第二章 硅衬底化学机械抛光机理分析 | 第12-19页 |
| §2-1 边缘抛光 | 第12-13页 |
| §2-2 硅衬底表面抛光过程分析 | 第13-19页 |
| 2-2-1 抛光的动力学过程 | 第13-14页 |
| 2-2-2 硅晶片抛光机理 | 第14-16页 |
| 2-2-3 抛光设备 | 第16-19页 |
| 第三章 影响抛光速率及抛光片表面质量的因素 | 第19-30页 |
| §3-1 pH值的影响 | 第19-20页 |
| 3-1-1 pH值的影响 | 第19页 |
| 3-1-2 pH值的选择实验 | 第19-20页 |
| §3-2 温度的影响 | 第20-21页 |
| §3-3 压力的影响 | 第21-22页 |
| §3-4 SiO_2浓度对抛光速度与质量的影响 | 第22-23页 |
| §3-5 硅片晶向的影响 | 第23页 |
| §3-6 流量的影响 | 第23页 |
| §3-7 转盘的旋转速度 | 第23-24页 |
| §3-8 抛光垫的影响 | 第24-26页 |
| §3-9 磨料粒径的大小和抛光垫对硅晶片表面粗糙度的影响 | 第26-27页 |
| §3-10 粘片工艺的影响 | 第27-30页 |
| 第四章 精抛光液配方的研究 | 第30-44页 |
| §4-1 精抛液中磨料的选择 | 第30-31页 |
| §4-2 碱的选择 | 第31-33页 |
| §4-3 活性剂的选择 | 第33-41页 |
| 4-3-1 优先吸附模型 | 第33-36页 |
| 4-3-2 表面活性剂的选择 | 第36-41页 |
| §4-4 螯合剂的选择 | 第41页 |
| §4-5 实验部分 | 第41-44页 |
| 第五章 硅衬底精抛后的清洗 | 第44-50页 |
| §5-1 颗粒吸附状态 | 第44-45页 |
| §5-2 硅衬底精抛后的清洗 | 第45-50页 |
| 第六章 抛光硅晶片表面质量的检测 | 第50-56页 |
| §6-1 抛光硅片表面质量与抛光工艺技术 | 第50-52页 |
| §6-2 常见的平坦度参数及其意义 | 第52-53页 |
| §6-3 对抛光雾的研究实验 | 第53-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第61页 |