| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-20页 |
| ·研究背景 | 第7-10页 |
| ·ESD损伤和ESD潜在损伤 | 第8-9页 |
| ·ESD保护器件的发展状况 | 第9-10页 |
| ·ESD测试模型 | 第10-20页 |
| ·人体放电模型(Human-Body Model—HBM) | 第10-11页 |
| ·机器放电模型(Machine Model—MM) | 第11-12页 |
| ·器件充电模型(Charged-Device Model—CDM) | 第12-13页 |
| ·电场感应模型(Field-Induced Model—FIM) | 第13-14页 |
| ·传输线脉冲模型(Transmission Line Pulse—TLP) | 第14-20页 |
| 第二章 常见的ESD保护器件 | 第20-34页 |
| ·二极管 | 第20-24页 |
| ·标准CMOS工艺下的二极管 | 第22-23页 |
| ·齐纳二极管 | 第23-24页 |
| ·金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) | 第24-26页 |
| ·可控硅整流器(Silicon Controlled Rectifier—SCR) | 第26-29页 |
| ·中电压触发SCR(Medium Voltage Triggered SCR—MVTSCR) | 第27-28页 |
| ·低电压触发SCR(Low Voltage Triggered SCR—LVTSCR) | 第28-29页 |
| ·栅耦合NMOS(Gate Coupled NMOS—GCNMOS) | 第29-34页 |
| 第三章 SITh的导通态与阻断态 | 第34-42页 |
| ·SIT的结构 | 第34页 |
| ·SIT的工作原理 | 第34-35页 |
| ·SIT的I-V特性分析 | 第35-37页 |
| ·SITh的器件结构模型和偏置状态 | 第37-38页 |
| ·SITh负阻转折特性的基本描述 | 第38-42页 |
| 第四章 SITh的输运模型及数值分析 | 第42-50页 |
| ·电磁方程及其简化 | 第42-43页 |
| ·漂移扩散模型方程 | 第43-46页 |
| ·涉及温度变化的漂移扩散模型 | 第46-47页 |
| ·漂移扩散模型的求解 | 第47-49页 |
| ·SITh的I-V特性：数值结果和实验结果的比较 | 第49-50页 |
| 第五章 SITh用作ESD保护的特性测试与分析 | 第50-61页 |
| ·SITh器件的模拟与分析 | 第50-52页 |
| ·SITh器件的TLP测试结果分析 | 第52-56页 |
| ·关于SITh保护器件一次击穿电压的调整 | 第56-58页 |
| ·关于SITh保护器件响应速度的讨论 | 第58-61页 |
| 第六章 结论与展望 | 第61-63页 |
| ·主要结论 | 第61页 |
| ·工作展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 在学期间的研究成果 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
