提要 | 第1-7页 |
第一章 绪论 | 第7-39页 |
·引言 | 第7-8页 |
·TFT 的发展史 | 第8-19页 |
·基于无机Si、Ge 材料晶体管的发展史 | 第8-10页 |
·基于有机半导体晶体管的发展史 | 第10-19页 |
·OTFT 的基本结构与工作原理 | 第19-23页 |
·OTFT 器件的基本结构 | 第19页 |
·OTFT 的工作原理 | 第19-23页 |
·OTFT 中的成膜方法 | 第23-28页 |
·真空蒸镀法 | 第23-24页 |
·溶液法 | 第24-28页 |
·影响OTFT 性能的因素 | 第28-35页 |
·有机半导体材料对TFT 性能的影响 | 第28-32页 |
·导电沟道与源漏电极接触的界面态对TFT 器件性能的影响 | 第32-34页 |
·绝缘层与导电沟道的界面态对TFT 器件性能的影响 | 第34-35页 |
·本论文的主要工作和章节安排 | 第35-39页 |
第二章 底栅Na_2Ti_3O_7纳米线TFT 特性研究 | 第39-52页 |
·引言 | 第39-44页 |
·Na_2Ti_3O_7 纳米线TFT 特性研究 | 第44-49页 |
·Na_2Ti_3O_7 纳米线的制备与表征 | 第44-46页 |
·基于Na_2Ti_3O_7 纳米线的TFT 的性能研究 | 第46-49页 |
·本章小结 | 第49-52页 |
第三章 顶栅自对准结构的CuPc TFT 性能研究 | 第52-67页 |
·引言 | 第52-55页 |
·CuPc TFT 特性研究 | 第55-65页 |
·底栅CuPc TFT | 第55-56页 |
·顶栅CuPc TFT | 第56-57页 |
·顶栅自对准CuPc TFT | 第57-65页 |
·本章小结 | 第65-67页 |
第四章 顶栅结构的噻吩TFT 性能研究 | 第67-79页 |
·引言 | 第67-69页 |
·噻吩TFT 特性研究 | 第69-77页 |
·噻吩TFT 制作 | 第69-72页 |
·噻吩 TFT 的性能研究 | 第72-77页 |
·本章小节 | 第77-79页 |
第五章 新结构TFT 集成于AM-OLED 显示阵列中关键问题的研究 | 第79-106页 |
·引言 | 第79-82页 |
·多栅双沟道结构TFT 器件结构设计与仿真 | 第82-90页 |
·TFT 结构设计与仿真 | 第82-89页 |
·结果与讨论 | 第89-90页 |
·AM-OLED 集成一体化TFT 阵列工艺过程简化的研究 | 第90-102页 |
·简化的用于AM-OLED 集成一体化TFT 阵列工艺的制作过程与优势 | 第90-99页 |
·结果与讨论 | 第99-102页 |
·LTPS TFT 行列驱动与显示区集成一体化的显示屏检测方法 | 第102-104页 |
·本章小节 | 第104-106页 |
第六章 总结与展望 | 第106-108页 |
致谢 | 第108-110页 |
作者在读期间发表的学术论文及专利 | 第110-112页 |
摘要 | 第112-114页 |
ABSTRACT | 第114-117页 |