| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-19页 |
| 1.1 课题研究背景和意义 | 第15-16页 |
| 1.2 抗辐照DAC芯片和LDO芯片的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.3 论文结构 | 第17-19页 |
| 第二章 LDO基本原理 | 第19-25页 |
| 2.1 LDO基本原理 | 第19-20页 |
| 2.2 LDO的性能指标 | 第20页 |
| 2.3 传统LDO稳定性分析 | 第20-22页 |
| 2.4 传统LDO负载瞬态响应分析 | 第22-24页 |
| 2.5 无片外电容LDO | 第24页 |
| 2.6 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 抗总剂量辐照分析和验证 | 第25-31页 |
| 3.1 总剂量辐射效应 | 第25-26页 |
| 3.1.1 总剂量辐射效应对MOS管的阈值电压的影响 | 第25-26页 |
| 3.1.2 总剂量辐射效应所产生的泄漏电流 | 第26页 |
| 3.2 环栅MOS管 | 第26-30页 |
| 3.2.1 总剂量辐射效应加固策略 | 第26-28页 |
| 3.2.2 环栅MOS管抗总剂量效应验证 | 第28-30页 |
| 3.3 本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 电路模块具体设计 | 第31-57页 |
| 4.1 频率补偿 | 第33-36页 |
| 4.2 基准电压源 | 第36-43页 |
| 4.3 偏置电路 | 第43-45页 |
| 4.4 调整管 | 第45-46页 |
| 4.5 电阻反馈网络 | 第46-47页 |
| 4.6 误差放大器 | 第47-49页 |
| 4.7 无片外电容瞬态响应分析和改善方法 | 第49-55页 |
| 4.7.1 新型缓冲器 | 第50-52页 |
| 4.7.2 本文所设计的缓冲器 | 第52-53页 |
| 4.7.3 瞬态增强电路 | 第53-55页 |
| 4.8 本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 整体电路辐照前后仿真对比分析 | 第57-71页 |
| 5.1 直流特性辐照前后仿真对比分析 | 第57-59页 |
| 5.1.1 最小压差 | 第57-58页 |
| 5.1.2 线性调整率 | 第58页 |
| 5.1.3 负载调整率 | 第58-59页 |
| 5.1.4 静态电流 | 第59页 |
| 5.2 交流特性辐照前后仿真对比分析 | 第59-62页 |
| 5.2.1 环路增益和相位 | 第59-61页 |
| 5.2.2 电源抑制比 | 第61-62页 |
| 5.3 瞬态响应仿真和分析 | 第62-67页 |
| 5.3.1 负载瞬态仿真和分析 | 第62-64页 |
| 5.3.2 线性瞬态仿真和分析 | 第64-67页 |
| 5.4 版图设计 | 第67-69页 |
| 5.4.1 环栅版图设计总结 | 第67-68页 |
| 5.4.2 版图实现 | 第68-69页 |
| 5.5 本章小结 | 第69-71页 |
| 第六章 总结 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 作者简介 | 第79-80页 |