| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-34页 |
| ·引言 | 第10-14页 |
| ·氧化锌薄膜材料的用途 | 第14-17页 |
| ·氧化锌材料的基本特性 | 第17-21页 |
| ·结构特性 | 第17-19页 |
| ·光电特性 | 第19-21页 |
| ·氧化锌薄膜材料的生长方法 | 第21-24页 |
| ·溅射法 | 第21-22页 |
| ·脉冲激光沉积法（PLD） | 第22页 |
| ·分子束外延法（MBE） | 第22-23页 |
| ·金属有机化学气相沉积（MOCVD） | 第23-24页 |
| ·锌膜氧化法 | 第24页 |
| ·氧化锌薄膜晶体管简介 | 第24-33页 |
| ·ZnO 薄膜晶体管发展史及研究现状 | 第25-27页 |
| ·ZnO 薄膜晶体管（ZnO-TFT）结构及工作原理 | 第27-30页 |
| ·氧化锌薄膜晶体管（ZnO-TFT）的优势和现存问题 | 第30-33页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第33-34页 |
| 第2章 生长ZnO 薄膜材料的MOCVD 系统与RF 磁控溅射设备 | 第34-45页 |
| ·生长ZnO 薄膜材料的MOCVD 系统 | 第34-42页 |
| ·关于MOCVD 技术 | 第34-36页 |
| ·源材料的选择 | 第36-38页 |
| ·用于ZnO 生长的MOCVD 反应系统 | 第38-42页 |
| ·射频（RF）磁控溅射反应系统 | 第42-45页 |
| ·射频(RF)磁控溅射机理 | 第42-43页 |
| ·用以生长ZnO 的射频（RF）磁控溅射技术 | 第43-45页 |
| 第3章 有源层材料氧化锌薄膜生长及相关特性研究 | 第45-57页 |
| ·玻璃衬底氧化锌ZnO 薄膜生长 | 第45-55页 |
| ·玻璃衬底氧化锌薄膜生长温度条件优化 | 第46-51页 |
| ·玻璃衬底氧化锌薄膜生长氧气分压条件优化 | 第51-55页 |
| ·小结 | 第55-57页 |
| 第4章 氧化锌薄膜晶体管制备与测试 | 第57-75页 |
| ·简介 | 第57-60页 |
| ·氧化锌薄膜晶体管的制备 | 第60-70页 |
| ·底栅型氧化锌薄膜晶体管结构设计 | 第63-69页 |
| ·底栅型氧化锌薄膜晶体管制备 | 第69-70页 |
| ·测试与数据 | 第70-74页 |
| ·小结 | 第74-75页 |
| 结论 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第81-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 个人简历 | 第85页 |
