摘要 | 第4-5页 |
abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第9-15页 |
1.1 金刚石的结构 | 第9-10页 |
1.2 金刚石的性质 | 第10-11页 |
1.3 金刚石薄膜的研究现状及发展趋势 | 第11-12页 |
1.4 本文研究及探讨的内容 | 第12-15页 |
第二章 掺硼金刚石薄膜的制备 | 第15-21页 |
2.1 金刚石薄膜制备技术 | 第15-17页 |
2.1.1 热丝CVD法(HFCVD) | 第15页 |
2.1.2 微波等离子体(MPCVD)法 | 第15-16页 |
2.1.3 直流等离子体喷射CVD法 | 第16-17页 |
2.2 HFCVD方法沉积金刚石的生长机理 | 第17-18页 |
2.3 样品的制备 | 第18-20页 |
2.3.1 基底 | 第18-19页 |
2.3.2 热丝 | 第19-20页 |
2.4 实验流程图 | 第20-21页 |
第三章 CVD金刚石薄膜表征方法 | 第21-28页 |
3.1 原子力显微镜 | 第21-22页 |
3.2 扫描电子显微镜 | 第22-23页 |
3.3 X射线衍射光谱(XRD) | 第23页 |
3.4 电化学工作站 | 第23-24页 |
3.5 四探针测试仪器 | 第24-28页 |
第四章 碳源浓度、沉积室气压对金刚石薄膜的影响 | 第28-38页 |
4.1 碳源浓度对金刚石薄膜表面状态和结构的影响 | 第28-32页 |
4.2 碳源浓度对BDD电极电化学性能的影响 | 第32-33页 |
4.3 沉积室气压对金刚石薄膜表面状态和结构的影响 | 第33-37页 |
4.4 沉积室气压对BDD电极电化学性能的影响 | 第37-38页 |
第五章 衬底温度、硼掺杂浓度对金刚石薄膜的影响 | 第38-50页 |
5.1 衬底温度对金刚石薄膜表面状态和结构的影响 | 第38-41页 |
5.2 衬底温度对BDD电极电化学性能的影响 | 第41-42页 |
5.3 不同硼掺杂方式比较 | 第42-43页 |
5.4 掺硼的金刚石薄膜导电机理 | 第43页 |
5.5 硼掺杂浓度对金刚石薄膜表面状态和结构的影响 | 第43-46页 |
5.6 硼掺杂浓度对金刚石薄膜电阻率的影响 | 第46-47页 |
5.7 硼掺杂浓度对BDD电极电化学性能的影响 | 第47页 |
5.8 金刚石薄膜电极的电催化苯酚性能 | 第47-50页 |
第六章 总结 | 第50-52页 |
参考文献 | 第52-58页 |
攻读学位期间所取得的相关成果 | 第58-60页 |
致谢 | 第60页 |