硅基GaN谐振光栅及其传感应用
| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 专用术语注释表 | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 GaN材料性质概述 | 第9-11页 |
| 1.2 谐振光栅发展历程 | 第11-13页 |
| 1.3 折射率传感器 | 第13-14页 |
| 1.4 本文主要工作内容及研究方法 | 第14-15页 |
| 1.4.1 本文主要工作内容 | 第14页 |
| 1.4.2 存在的关键问题 | 第14-15页 |
| 1.4.3 采取的研究方法 | 第15页 |
| 1.5 本文结构安排 | 第15-17页 |
| 第二章 GaN谐振光栅的理论计算 | 第17-30页 |
| 2.1 GaN谐振光栅的理论方法 | 第17页 |
| 2.2 严格耦合波理论（RCWA） | 第17-25页 |
| 2.2.1 入射光是TM偏振 | 第19-22页 |
| 2.2.2 入射光是TE偏振 | 第22-25页 |
| 2.3 Rsoft仿真软件简介 | 第25-26页 |
| 2.4 硅基GaN光栅谐振性能分析 | 第26-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 硅基GaN谐振光栅的设计和制作 | 第30-43页 |
| 3.1 硅基GaN谐振光栅的设计依据 | 第30-31页 |
| 3.2 硅基GaN谐振光栅的参数设计 | 第31-37页 |
| 3.2.1 光栅厚度相关性 | 第31-32页 |
| 3.2.2 光栅周期相关性 | 第32-33页 |
| 3.2.3 占空比相关性 | 第33-35页 |
| 3.2.4 薄膜厚度相关性 | 第35-36页 |
| 3.2.5 入射光相关性 | 第36-37页 |
| 3.3 硅基GaN谐振光栅的制作 | 第37-41页 |
| 3.3.1 硅基Ga N谐振光栅的工艺流程 | 第37-39页 |
| 3.3.2 硅基Ga N谐振光栅的实物分析 | 第39-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 硅基GaN谐振光栅的测试和分析 | 第43-54页 |
| 4.1 测试系统设计要求 | 第43页 |
| 4.2 角分辨微反射测试系统原理 | 第43-44页 |
| 4.3 主要仪器介绍 | 第44-46页 |
| 4.3.1 白光光源的选择 | 第44页 |
| 4.3.2 光谱仪的选择 | 第44-46页 |
| 4.4 测试结果分析 | 第46-49页 |
| 4.4.1 薄膜厚度相关性 | 第46-47页 |
| 4.4.2 入射光相关性 | 第47-48页 |
| 4.4.3 光栅周期相关性 | 第48-49页 |
| 4.5 传感性能分析 | 第49-52页 |
| 4.5.1 传感性能模拟结果 | 第49-51页 |
| 4.5.2 传感性能测试结果 | 第51-52页 |
| 4.6 本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 5.1 工作总结 | 第54-55页 |
| 5.2 未来展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第59-60页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第60-61页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
