| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第1章 引言 | 第9-13页 |
| 1.1 功率半导体的发展概述 | 第9-10页 |
| 1.2 LDMOS器件研究现状与高压互连问题 | 第10-12页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第12-13页 |
| 第2章 高压互连与功率器件技术 | 第13-30页 |
| 2.1 高压互连线效应 | 第13-18页 |
| 2.2 传统HVI屏蔽结构 | 第18-21页 |
| 2.3 场板技术 | 第21-26页 |
| 2.4 自屏蔽技术 | 第26-30页 |
| 第3章 高压互连仿真分析与新结构设计 | 第30-39页 |
| 3.1 高压互连仿真分析 | 第30-33页 |
| 3.2 部分场板屏蔽的高压互连技术 | 第33-35页 |
| 3.3 窄线宽的高压互连结构 | 第35-37页 |
| 3.4 一种多片式高压驱动电路 | 第37-39页 |
| 第4章 DIVIDED RESURF器件结构及特性分析 | 第39-58页 |
| 4.1 Divided RESURF器件结构 | 第39-41页 |
| 4.2 仿真分析 | 第41-44页 |
| 4.3 Divided RESURF结构与传统器件耐压对比 | 第44-48页 |
| 4.3.1 Divided RESURF器件的耐压模型 | 第44-45页 |
| 4.3.2 HVI对传统LDMOS器件耐压的影响 | 第45-47页 |
| 4.3.3 HVI下Divided RESURF结构与对传统器件的对比 | 第47-48页 |
| 4.4 器件特性优化 | 第48-54页 |
| 4.4.1 耐压与漂移区长度的关系 | 第48-50页 |
| 4.4.2 耐压与漂移区浓度（N外延层掺杂浓度）的关系 | 第50-52页 |
| 4.4.3 耐压与ptop层掺杂浓度的关系 | 第52-53页 |
| 4.4.4 耐压与栅极场板长度的关系 | 第53-54页 |
| 4.5 器件工艺设计 | 第54-57页 |
| 4.6 本章小结 | 第57-58页 |
| 第5章 总结 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第63-64页 |
