| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 半导体与集成电路 | 第6-14页 |
| 1.1 半导体概述 | 第6-9页 |
| 1.2 集成电路 | 第9-14页 |
| 1.2.1 集成电路 | 第9页 |
| 1.2.2 集成电路制造技术 | 第9-14页 |
| 第二章 去离子水 | 第14-18页 |
| 2.1 去离子水概述 | 第14-15页 |
| 2.2 去离子水在半导体中的应用 | 第15-18页 |
| 2.2.1 化学溶液的配比 | 第15-16页 |
| 2.2.2 硅片的清洗 | 第16-18页 |
| 第三章 去离子水的破坏性 | 第18-26页 |
| 3.1 图形损坏 | 第18-19页 |
| 3.2 金属线电化学效应 | 第19-21页 |
| 3.3 破坏性静电效应 | 第21-26页 |
| 3.3.1 天线效应（Antenna effect | 第21-23页 |
| 3.3.2 电荷的来源 | 第23-24页 |
| 3.3.3 天线效应的解决方法 | 第24-26页 |
| 第四章 去离子水破坏性的解决方案 | 第26-41页 |
| 4.1 改善图形损坏 | 第26-28页 |
| 4.2 金属铝电化学效应(Galvanic Effect)的防治 | 第28-32页 |
| 4.3 去离子水破坏性静电效应解决方案 | 第32-39页 |
| 4.3.1 栅氧化层光刻过程中的静电破坏 | 第33-36页 |
| 4.3.2 后段制程因静电和天线效应产生的破坏 | 第36-39页 |
| 4.4 小结 | 第39-41页 |
| 参考文献 | 第41-42页 |
| 致谢 | 第42页 |