| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 图录 | 第10-11页 |
| 表录 | 第11-12页 |
| 第一章 聚酰亚胺和光刻工艺简介 | 第12-21页 |
| 1.1 聚酰亚胺化学性质 | 第12-13页 |
| 1.1.1 聚酰亚胺化学性质优点 | 第12-13页 |
| 1.2 聚酰亚胺工艺发展史 | 第13页 |
| 1.3 聚酰亚胺在半导体工艺中的应用 | 第13-16页 |
| 1.3.1 α-粒子屏蔽层膜 | 第13-14页 |
| 1.3.2 芯片钝化膜 | 第14页 |
| 1.3.3 应力缓冲膜 | 第14-15页 |
| 1.3.4 多层金属互联电路的层间介电绝缘膜 | 第15-16页 |
| 1.4 光刻工艺介绍 | 第16-18页 |
| 1.4.1 光刻工艺概述 | 第16页 |
| 1.4.2 光刻工艺流程介绍 | 第16-18页 |
| 1.5 光刻胶性质和分类 | 第18-19页 |
| 1.5.1 光刻胶 | 第18页 |
| 1.5.2 光刻胶分类 | 第18-19页 |
| 1.6 聚酰亚胺光刻胶工艺 | 第19页 |
| 1.7 本实验用的聚酰亚胺光刻胶特性 | 第19-20页 |
| 1.8 课题研究背景 | 第20-21页 |
| 第二章 聚酰亚胺光刻工艺流程及实验方法 | 第21-36页 |
| 2.1 硅片预处理 | 第21页 |
| 2.2 涂胶显影设备Track | 第21-23页 |
| 2.3 光刻涂胶工艺 | 第23-25页 |
| 2.3.1 光刻胶胶厚控制 | 第24页 |
| 2.3.2 聚酰亚胺胶厚 | 第24-25页 |
| 2.3.3 聚酰亚胺涂胶工艺实验 | 第25页 |
| 2.4 光刻烘烤工艺 | 第25-27页 |
| 2.4.1 烘烤工艺分类 | 第26页 |
| 2.4.2 不同光刻烘烤工艺的作用 | 第26-27页 |
| 2.5 聚酰亚胺烘烤工艺实验 | 第27-28页 |
| 2.6 光刻曝光工艺 | 第28-29页 |
| 2.7 聚酰亚胺曝光工艺实验 | 第29-30页 |
| 2.8 光刻显影工艺 | 第30-31页 |
| 2.9 聚酰亚胺显影工艺实验 | 第31-33页 |
| 2.10 聚酰亚胺光刻后烘烤工艺 | 第33-34页 |
| 2.11 聚酰亚胺光刻缺陷检查 | 第34-35页 |
| 2.12 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 聚酰亚胺光刻涂胶工艺改进 | 第36-42页 |
| 3.1 聚酰亚胺胶残留问题的影响 | 第36页 |
| 3.2 聚酰亚胺喷胶系统改进胶残留问题 | 第36-37页 |
| 3.2.1 喷胶系统改进 | 第37页 |
| 3.3 聚酰亚胺胶残留缺陷控制 | 第37-39页 |
| 3.3.1 加强边缘去胶和背面清洗的设备程序控制胶沾污问题 | 第37-38页 |
| 3.3.2 加强喷胶喷嘴回吸程度减少胶结晶问题 | 第38页 |
| 3.3.3 提高喷胶稳定性控制涂胶缺陷 | 第38-39页 |
| 3.4 聚酰亚胺涂胶工艺Track掉片问题改进实验 | 第39-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 聚酰亚胺光刻烘烤工艺改进 | 第42-47页 |
| 4.1 软烤对聚酰亚胺胶边缘翘起问题的影响 | 第42页 |
| 4.2 软烤工艺条件实验解决胶边缘翘起问题 | 第42-43页 |
| 4.3 软烤工艺条件对显影后胶残留问题的影响 | 第43-45页 |
| 4.4 软烤实验结果分析 | 第45-46页 |
| 4.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 聚酰亚胺显影工艺改进 | 第47-53页 |
| 5.1 显影工艺改进聚酰亚胶边缘翘起问题 | 第47-49页 |
| 5.2 显影工艺改进聚酰亚胺胶残留问题 | 第49-51页 |
| 5.2.1 显影程序优化方法 | 第49-50页 |
| 5.2.2 显影时间优化和显影程序最终确立 | 第50-51页 |
| 5.3 显影实验结果分析 | 第51-52页 |
| 5.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第六章 聚酰亚胺工艺流程优化及原料批次控制 | 第53-57页 |
| 6.1 聚酰亚胺工艺流程优化 | 第53-54页 |
| 6.2 不同聚酰亚胺原料批次控制问题 | 第54-56页 |
| 6.3 本章小结 | 第56-57页 |
| 第七章 总结与展望 | 第57-58页 |
| 7.1 论文总结 | 第57页 |
| 7.2 后续研究工作 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第61-63页 |