| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 气敏传感器概述 | 第10-14页 |
| 1.2.1 气敏传感器的定义及分类 | 第10-11页 |
| 1.2.2 半导体氧化物纳米气敏传感器概述及性能表征 | 第11-13页 |
| 1.2.3 半导体氧化物纳米气敏传感器的工作原理 | 第13-14页 |
| 1.3 基于多孔硅气敏传感器 | 第14-16页 |
| 1.3.1 硅基多孔硅简介 | 第14页 |
| 1.3.2 硅基多孔硅气敏传感器的研究现状与发展 | 第14-16页 |
| 1.4 基于纳米氧化钨多级结构气敏传感器 | 第16-18页 |
| 1.4.1 纳米氧化物多级结构材料概述 | 第16页 |
| 1.4.2 纳米氧化钨多级结构材料气敏传感器的研究现状与发展 | 第16-18页 |
| 1.5 本论文的研究意义与研究内容 | 第18-20页 |
| 第2章 实验设备及分析测试 | 第20-25页 |
| 2.1 实验仪器设备介绍 | 第20-21页 |
| 2.2 微观表征与性能分析 | 第21-22页 |
| 2.2.1 场发射扫描电子显微镜分析 | 第21页 |
| 2.2.2 X射线衍射仪分析 | 第21-22页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜分析 | 第22页 |
| 2.3 气敏测试系统及性能表征 | 第22-25页 |
| 2.3.1 元件气敏测试系统介绍 | 第22-23页 |
| 2.3.2 元件气敏特性参数 | 第23-25页 |
| 第3章 多孔硅/Au/刺球状氧化钨纳米棒多级结构的制备及敏感性能研究 | 第25-43页 |
| 3.1 多孔硅基底的制备 | 第25-27页 |
| 3.1.1 硅片的清洗 | 第26页 |
| 3.1.2 多孔硅的制备流程 | 第26-27页 |
| 3.2 方块电极的制备流程 | 第27页 |
| 3.3 多孔硅/Au/刺球状氧化钨纳米棒多级结构的制备及敏感性能研究 | 第27-29页 |
| 3.3.1 实验原料 | 第27-28页 |
| 3.3.2 多孔硅/Au/氧化钨纳米棒多级结构材料的制备流程 | 第28-29页 |
| 3.4 实验结果分析 | 第29-42页 |
| 3.4.1 喷金时间对多孔硅/Au/氧化钨纳米棒多级结构形成的影响 | 第29-32页 |
| 3.4.2 水热时间对多孔硅/Au/氧化钨纳米棒多级结构形成的影响 | 第32-33页 |
| 3.4.3 多孔硅/Au/氧化钨纳米棒多级结构的生长机理 | 第33-34页 |
| 3.4.4 多孔硅/Au/氧化钨纳米棒多级结构气敏传感器的气敏性能研究 | 第34-38页 |
| 3.4.5 多孔硅/Au/刺球状氧化钨纳米棒多级结构与其他气敏材料气敏性能对比 | 第38-39页 |
| 3.4.6 多孔硅/Au/刺球状氧化钨纳米棒多级结构的气敏机理分析 | 第39-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 多孔硅/氧化钨纳米空壳复合结构的制备及敏感性能研究 | 第43-57页 |
| 4.1 氧化钨纳米空壳结构 | 第43-45页 |
| 4.1.1 实验原料 | 第43页 |
| 4.1.2 WO3纳米空壳的制备 | 第43-45页 |
| 4.2 多孔硅/WO3纳米空壳复合结构材料的研究 | 第45-46页 |
| 4.3 实验结果分析 | 第46-55页 |
| 4.3.1 模板碳球的制备 | 第46-47页 |
| 4.3.2 老化时间对WO3纳米空壳结构的影响 | 第47-50页 |
| 4.3.3 多孔硅/WO3纳米空壳复合结构气敏传感器的气敏性能研究 | 第50-52页 |
| 4.3.4 多孔硅/WO3纳米空壳复合结构材料的气敏机理分析 | 第52-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 第5章 多孔硅/石墨烯/氧化钨纳米棒复合结构的制备及敏感性能研究 | 第57-64页 |
| 5.1 多孔硅/石墨烯/WO3纳米棒复合结构 | 第57-58页 |
| 5.1.1 实验原料 | 第57页 |
| 5.1.2 多孔硅/石墨烯/氧化钨纳米棒复合结构的制备 | 第57-58页 |
| 5.2 实验结果分析 | 第58-63页 |
| 5.2.1 水热pH值对石墨烯/氧化钨纳米棒复合结构的影响 | 第58-61页 |
| 5.2.2 多孔硅/石墨烯/WO3纳米棒复合结构气敏传感器的气敏性能研究 | 第61-62页 |
| 5.2.3 多孔硅/石墨烯/WO3纳米棒复合结构材料的气敏机理分析 | 第62-63页 |
| 5.3 本章小结 | 第63-64页 |
| 第6章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 6.1 总结 | 第64-65页 |
| 6.2 展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
