| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 前言 | 第9-29页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 绝缘性纳米颗粒薄膜的电子输运机制 | 第10-24页 |
| 1.2.1 跳跃传导模型 | 第11-16页 |
| 1.2.2 变程跳跃传导模型 | 第16-17页 |
| 1.2.3 逾渗跳跃传导模型 | 第17-18页 |
| 1.2.4 共隧穿传导模型 | 第18-22页 |
| 1.2.5 高温区热涨落诱导隧穿模型 | 第22-24页 |
| 1.3 颗粒薄膜中的巨霍尔效应 | 第24-26页 |
| 1.4 超导颗粒薄膜 | 第26-28页 |
| 1.5 本论文的主要工作 | 第28-29页 |
| 第二章 样品制备与表征 | 第29-37页 |
| 2.1 (ITO)_x(SiO_2)_(1-x)纳米颗粒膜的制备 | 第29-32页 |
| 2.1.1 磁控溅射基本原理 | 第30-31页 |
| 2.1.2 样品制备条件 | 第31-32页 |
| 2.2 样品表征方法 | 第32-34页 |
| 2.2.1 台阶仪 | 第32页 |
| 2.2.2 能量色散X射线光谱仪（EDX） | 第32-33页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜（TEM） | 第33页 |
| 2.2.4 选区电子衍射（SAED） | 第33-34页 |
| 2.3 电学性质测量 | 第34-37页 |
| 2.3.1 物理性质测量系统（PPMS） | 第34-35页 |
| 2.3.2 四引线测量法 | 第35-37页 |
| 第三章 (ITO)_x(SiO_2)_(1-x)薄膜的微观结构和电子输运性质 | 第37-53页 |
| 3.1 ITO体积分数以及膜厚的确定 | 第37-38页 |
| 3.2 (ITO)_x(SiO_2)_(1-x)颗粒膜的微观形貌分析 | 第38-41页 |
| 3.3 低温区(ITO)_x(SiO_2)_(1-x)颗粒膜的电子输运机制 | 第41-48页 |
| 3.3.1 电阻率的测量结果及分析 | 第41-45页 |
| 3.3.2 实验结果与逾渗跳跃传导模型对比 | 第45-46页 |
| 3.3.3 实验结果与共隧穿模型对比 | 第46-47页 |
| 3.3.4 实验结果与跳跃传导模型对比 | 第47-48页 |
| 3.4 高温区(ITO)_x(SiO_2)_(1-x)颗粒膜的电子输运机制 | 第48-50页 |
| 3.5 (ITO)_x(SiO_2)_(1-x)颗粒薄膜的霍尔输运性质 | 第50-52页 |
| 3.6 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 (ITO)_x(SiO_2)_(1-x)颗粒膜中的超导特性 | 第53-62页 |
| 4.1 纯Ar气氛围中所制备样品的基本信息 | 第53-54页 |
| 4.2 样品电阻率与温度的关系 | 第54-55页 |
| 4.3 (ITO)_x(SiO_2)_(1-x)纳米颗粒薄膜中的超导特性 | 第55-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
