| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 石墨烯的性质 | 第11-13页 |
| 1.2.1 石墨烯的结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 石墨烯的物理性质 | 第12-13页 |
| 1.3 石墨烯国内外的研究现状 | 第13-15页 |
| 1.3.1 石墨烯场效应晶体管的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3.2 石墨烯掺杂的研究现状 | 第14-15页 |
| 1.4 论文的研究意义和内容 | 第15-17页 |
| 1.4.1 论文的研究意义 | 第15页 |
| 1.4.2 本文的主要工作 | 第15-17页 |
| 第二章 石墨烯的制备与表征 | 第17-25页 |
| 2.1 引言 | 第17页 |
| 2.2 石墨烯的制备 | 第17-20页 |
| 2.2.1 微机械剥离法 | 第17-18页 |
| 2.2.2 热分解碳化硅法 | 第18-19页 |
| 2.2.3 还原氧化石墨烯法 | 第19页 |
| 2.2.4 化学气相淀积法 | 第19-20页 |
| 2.3 石墨烯的表征 | 第20-24页 |
| 2.3.1 光学显微镜 | 第20-21页 |
| 2.3.2 原子力显微镜 | 第21-22页 |
| 2.3.3 拉曼光谱 | 第22-24页 |
| 2.3.4 其他表征方法 | 第24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 石墨烯湿法转移工艺研究 | 第25-35页 |
| 3.1 引言 | 第25页 |
| 3.2 石墨烯湿法转移工艺标准流程 | 第25-27页 |
| 3.3 后烘温度对PMMA残留的影响 | 第27-31页 |
| 3.3.1 光学显微镜对PMMA残留的表征 | 第27-29页 |
| 3.3.2 PMMA覆盖率指数的定量表征 | 第29-31页 |
| 3.4 石墨烯HEAT-FREE-TRANSFER工艺 | 第31-33页 |
| 3.5 本章小结 | 第33-35页 |
| 第四章 石墨烯MOSFET的制备与性能测试分析 | 第35-52页 |
| 4.1 引言 | 第35页 |
| 4.2 石墨烯MOSFET的结构及原理 | 第35-36页 |
| 4.3 石墨烯MOSFET的制备 | 第36-42页 |
| 4.3.1 背栅结构MOSFET的制备 | 第36-38页 |
| 4.3.2 射频石墨烯晶体管的制备 | 第38-42页 |
| 4.4 石墨烯MOSFET的性能测试和分析 | 第42-50页 |
| 4.4.1 背栅GFET的测试分析 | 第42-45页 |
| 4.4.2 射频GFET的测试分析 | 第45-50页 |
| 4.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 第五章N型掺杂石墨烯及其场效应晶体管 | 第52-74页 |
| 5.1 引言 | 第52页 |
| 5.2 PECVD及氮化硅生长参数研究 | 第52-63页 |
| 5.2.1 单一条件影响下的成膜分析 | 第54-57页 |
| 5.2.2 约化功率密度综合分析模型 | 第57-61页 |
| 5.2.3 PECVD生长氮化硅关键参数分析 | 第61-63页 |
| 5.3 氮化硅掺杂石墨烯及其场效应晶体管 | 第63-73页 |
| 5.3.1 氮化硅掺杂石墨烯的XPS分析 | 第63-64页 |
| 5.3.2 氮化硅掺杂石墨烯的Raman分析 | 第64-69页 |
| 5.3.3 氮化硅掺杂GFET的稳定性分析 | 第69-73页 |
| 5.3.4 氮化硅掺杂石墨烯的原理分析 | 第73页 |
| 5.4 本章小结 | 第73-74页 |
| 第六章 总结与展望 | 第74-75页 |
| 6.1 总结 | 第74页 |
| 6.2 展望 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 攻硕期间获得的研究成果 | 第80-81页 |