| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-24页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 氧化物TFT的发展历程 | 第12-13页 |
| 1.3 a-IGZO半导体材料 | 第13-15页 |
| 1.3.1 a-IGZO的诞生 | 第13-14页 |
| 1.3.2 a-IGZO材料性质 | 第14-15页 |
| 1.4 a-IGZO薄膜晶体管研究现状 | 第15-18页 |
| 1.4.1 干法制备研究 | 第15-17页 |
| 1.4.2 溶液法相关研究 | 第17-18页 |
| 1.5 a-IGZO薄膜晶体管的优势 | 第18-20页 |
| 1.6 a-IGZO薄膜晶体管的应用领域 | 第20-22页 |
| 1.6.1 驱动显示器件 | 第20-21页 |
| 1.6.2 制造逆变器和环形振荡器 | 第21-22页 |
| 1.6.3 新型传感器 | 第22页 |
| 1.7 本论文的主要内容 | 第22-24页 |
| 第二章 a-IGZO薄膜晶体管相关理论及测试手段 | 第24-33页 |
| 2.1 a-IGZO薄膜晶体管的工作原理及基本结构 | 第24-25页 |
| 2.2 a-IGZO薄膜晶体管各层对器件性能的影响 | 第25-26页 |
| 2.2.1 绝缘层的影响 | 第25页 |
| 2.2.2 源漏电极的影响 | 第25-26页 |
| 2.3 a-IGZO薄膜晶体管的主要性能参数 | 第26-28页 |
| 2.4 薄膜晶体管的相关测试手段 | 第28-32页 |
| 2.4.1 原子力显微镜 | 第28-29页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜 | 第29-30页 |
| 2.4.3 台阶仪 | 第30页 |
| 2.4.4 紫外-可见分光光度计 | 第30页 |
| 2.4.5 四探针测试仪 | 第30-31页 |
| 2.4.6 吉时利4200参数分析仪 | 第31-32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 基于有机绝缘层材料制备a-IGZO薄膜晶体管 | 第33-60页 |
| 3.1 a-IGZO薄膜晶体管的制备 | 第33-38页 |
| 3.1.1 ITO玻璃基板的清洗 | 第33页 |
| 3.1.2 ITO玻璃基板的光刻 | 第33-35页 |
| 3.1.3 有机绝缘层的制备 | 第35-36页 |
| 3.1.4 有源层的直流磁控溅射工艺 | 第36-37页 |
| 3.1.5 金属电极的制备 | 第37-38页 |
| 3.1.6 薄膜晶体管的测试 | 第38页 |
| 3.2 a-IGZO薄膜质量 | 第38-39页 |
| 3.3 顶栅器件与底栅器件结构比较 | 第39-51页 |
| 3.3.1 器件结构介绍 | 第40-41页 |
| 3.3.2 PMMA作为有机绝缘层 | 第41-48页 |
| 3.3.3 PVA作为有机绝缘层 | 第48-51页 |
| 3.4 底栅底接触与底栅顶接触器件结构的比较 | 第51-54页 |
| 3.5 有源层与绝缘层之间的缓冲层比较 | 第54-58页 |
| 3.6 本章小结 | 第58-60页 |
| 第四章 基于溶液法氧化铝绝缘层制备a-IGZO薄膜晶体管 | 第60-68页 |
| 4.1 溶液法制备氧化铝绝缘层 | 第60-61页 |
| 4.1.1 溶液法氧化铝薄膜制备 | 第60页 |
| 4.1.2 自发热溶液法氧化铝薄膜制备 | 第60-61页 |
| 4.2 溶液法氧化铝作为绝缘层的a-IGZO薄膜晶体管 | 第61-67页 |
| 4.2.1 绝缘层厚度对a-IGZO薄膜晶体管性能的影响 | 第61-64页 |
| 4.2.2 绝缘层退火温度对a-IGZO薄膜晶体管性能的影响 | 第64-67页 |
| 4.3 本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 结论与展望 | 第68-70页 |
| 5.1 结论 | 第68-69页 |
| 5.2 未来展望 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-78页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第78页 |
