| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 GaN材料简介 | 第16-18页 |
| 1.2 GaN基HEMT器件的研究进展 | 第18-20页 |
| 1.2.1 国外研究进展 | 第18-19页 |
| 1.2.2 国内研究进展 | 第19-20页 |
| 1.3 本文的研究意义及内容 | 第20-22页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT器件的原理与仿真 | 第22-36页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT器件的原理 | 第22-28页 |
| 2.1.1 GaN材料的极化效应 | 第22-23页 |
| 2.1.2 AlGaN/GaN异质结的极化效应 | 第23-25页 |
| 2.1.3 AlGaN/GaN异质结的二维电子气 | 第25-27页 |
| 2.1.4 AlGaN/GaN HEMT器件的工作原理 | 第27-28页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HEMT器件的仿真 | 第28-32页 |
| 2.2.1 基本半导体物理方程 | 第29-30页 |
| 2.2.2 物理模型 | 第30-31页 |
| 2.2.3 边界设置 | 第31-32页 |
| 2.3 GaN基HEMT基础制备工艺 | 第32-33页 |
| 2.3.1 电子束光刻和T形栅工艺 | 第32-33页 |
| 2.3.2 GaN HEMT器件制备工艺 | 第33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-36页 |
| 第三章 GaN基HEMT按比例缩小的实验研究 | 第36-48页 |
| 3.1 GaN基HEMT器件的制备 | 第36-40页 |
| 3.1.1 AlGaN/GaN器件结构 | 第36-37页 |
| 3.1.2 AlGaN/GaN器件制备流程 | 第37-38页 |
| 3.1.3 栅长测试 | 第38-40页 |
| 3.2 AlGaN/GaN器件的测试分析 | 第40-47页 |
| 3.2.1 传输线模型测试 | 第40-41页 |
| 3.2.2 直流特性分析 | 第41-44页 |
| 3.2.3 交流特性分析 | 第44-47页 |
| 3.3 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 恒定 2DEG密度的等比例缩小和新器件结构 | 第48-66页 |
| 4.1 基本仿真结构 | 第48-49页 |
| 4.2 栅长和势垒层厚度对器件性能的影响 | 第49-53页 |
| 4.2.1 直流特性的变化 | 第50-52页 |
| 4.2.2 交流特性的变化 | 第52-53页 |
| 4.3 恒定 2DEG等比例缩小 | 第53-62页 |
| 4.3.1 器件结构的设置 | 第54-55页 |
| 4.3.2 直流特性的变化 | 第55-58页 |
| 4.3.3 交流特性的变化 | 第58-62页 |
| 4.4 Fin-HEMT器件研究 | 第62-64页 |
| 4.4.1 Fin-HEMT器件的研究进展 | 第62页 |
| 4.4.2 GaN Fin-HEMT器件工艺 | 第62-64页 |
| 4.5 本章小结 | 第64-66页 |
| 第五章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 5.1 总结 | 第66-67页 |
| 5.2 展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 作者简介 | 第76-77页 |
