| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 纳米材料带隙调制的内容和意义 | 第10-12页 |
| 1.2.1 纳米材料带隙调制的内容和意义 | 第10页 |
| 1.2.2 纳米材料带隙调制的研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 光探测器 | 第12-13页 |
| 1.4 GaTe和GaSe的结构及应用 | 第13-15页 |
| 1.4.1 GaTe的结构及应用 | 第13-14页 |
| 1.4.2 GaSe的结构及应用 | 第14-15页 |
| 1.5 本论文的研究目的、内容及意义 | 第15-17页 |
| 1.5.1 本论文研究的目的和意义 | 第15页 |
| 1.5.2 本论文的研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 实验材料和方法 | 第17-23页 |
| 2.1 实验所用试剂及仪器 | 第17-18页 |
| 2.1.1 试剂 | 第17页 |
| 2.1.2 仪器设备 | 第17-18页 |
| 2.2 实验方法 | 第18-23页 |
| 2.2.1 光学显微镜分析 | 第18页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜分析 | 第18-19页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜分析 | 第19页 |
| 2.2.4 拉曼及荧光光谱分析 | 第19页 |
| 2.2.5 X射线衍射仪分析 | 第19-20页 |
| 2.2.6 X射线光电子能谱分析 | 第20页 |
| 2.2.7 吸收光谱分析 | 第20页 |
| 2.2.8 光电学性能测试 | 第20-23页 |
| 第三章 GaSe_xTe_(1-x)纳米片的制备及表征 | 第23-31页 |
| 3.1 引言 | 第23页 |
| 3.2 实验过程 | 第23-25页 |
| 3.2.1 实验设备 | 第23页 |
| 3.2.2 材料制备 | 第23-25页 |
| 3.3 层状GaSe_xTe_(1-x)的表征 | 第25-29页 |
| 3.3.1 层状GaSe_xTe_(1-x)的形貌表征 | 第25-27页 |
| 3.3.2 层状GaSe_xTe_(1-x)的拉曼表征 | 第27-28页 |
| 3.3.3 层状GaSe_xTe_(1-x)的光致发光光谱分析 | 第28-29页 |
| 3.4 本章小结 | 第29-31页 |
| 第四章 GaSe_(0.5)Te_(0.5)的光电性质的研究 | 第31-49页 |
| 4.1 引言 | 第31-32页 |
| 4.2 层状GaSe_(0.5)Te_(0.5)纳米片的表征 | 第32-40页 |
| 4.2.1 层状GaSe_(0.5)Te_(0.5) 形貌分析 | 第32-33页 |
| 4.2.2 层状GaSe_(0.5)Te_(0.5)结构分析 | 第33-34页 |
| 4.2.3 层状GaSe_(0.5)Te_(0.5)拉曼光谱分析 | 第34-36页 |
| 4.2.4 层状GaSe_(0.5)Te_(0.5)光致发光光谱分析 | 第36-37页 |
| 4.2.5 层状GaSe_(0.5)Te_(0.5)光吸收分析 | 第37-38页 |
| 4.2.6 层状GaSe_(0.5)Te_(0.5) X射线电子衍射分析 | 第38-39页 |
| 4.2.7 层状GaSe_(0.5)Te_(0.5) X射线光电子能谱分析 | 第39-40页 |
| 4.3 层状GaSe_(0.5)Te_(0.5)光电探测器的构筑 | 第40-41页 |
| 4.4 层状GaSe_(0.5)Te_(0.5)光电性能的测试 | 第41-47页 |
| 4.4.1 空气中GaSe_(0.5)Te_(0.5)光电性能的测试 | 第41-44页 |
| 4.4.2 真空中GaSe_(0.5)Te_(0.5)光电性能的测试 | 第44-46页 |
| 4.4.3 退火后GaSe_(0.5)Te_(0.5)光电性能的测试 | 第46-47页 |
| 4.5 本章小结 | 第47-49页 |
| 结论与展望 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-58页 |
| 附录B 攻读硕士学位期间获得奖励 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 附录A 攻读硕士学位期间发表或已投出论文 | 第60-61页 |
