| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·SAW器件概况 | 第9-12页 |
| ·SAW 器件概念及特点 | 第9页 |
| ·SAW 器件的结构及基本原理 | 第9-11页 |
| ·SAW 器件的结构 | 第9-10页 |
| ·SAW 器件的基本原理 | 第10-11页 |
| ·多层膜结构 SAW 器件 | 第11-12页 |
| ·多层膜结构 SAW 器件的国内外研究现状 | 第12页 |
| ·本文立论依据和主要工作 | 第12-14页 |
| 第二章 ALN 薄膜及其制备手段 | 第14-22页 |
| ·ALN薄膜 | 第14-16页 |
| ·AlN 的晶体结构 | 第15页 |
| ·AlN 薄膜的应用及展望 | 第15-16页 |
| ·ALN薄膜的制备 | 第16-20页 |
| ·AlN 薄膜的制备方法及原理 | 第16-18页 |
| ·射频磁控溅射设备 | 第16-18页 |
| ·射频磁控溅射原理 | 第18页 |
| ·射频磁控溅射的基本参量 | 第18-20页 |
| ·ALN薄膜的表征方法 | 第20-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 （100）择优取向 ALN 薄膜的制备及表征 | 第22-37页 |
| ·磁控溅射工艺条件对 ALN 薄膜择优取向及应力的影响 | 第22-26页 |
| ·氮氩比对薄膜择优取向及应力的影响 | 第22-23页 |
| ·溅射功率对薄膜择优取向及应力的影响 | 第23-25页 |
| ·工作压强对薄膜择优取向及应力的影响 | 第25-26页 |
| ·衬底温度对薄膜质量的影响 | 第26-32页 |
| ·衬底温度对薄膜质量的影响 | 第26-29页 |
| ·温度补偿对 AlN 薄膜质量的影响 | 第29-32页 |
| ·退火时间对 ALN 薄膜的影响 | 第32-34页 |
| ·退火气氛对 ALN 薄膜的影响 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 第四章 （002）ALN/AL/（100）ALN/SI 多层膜结构的制备 | 第37-48页 |
| ·AL缓冲层对（002）ALN 薄膜质量的影响 | 第37-40页 |
| ·AL膜缓冲层溅射时间对（002）ALN/AL结构的影响 | 第40-44页 |
| ·（002）ALN/AL/（100）ALN/SI多层膜结构的性质 | 第44-45页 |
| ·（002）ALN/AL/（100）ALN/SI多层膜结构的制备 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 结论与展望 | 第48-50页 |
| （1） 结论 | 第48-49页 |
| （2） 展望 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
