用微电铸方法制作微流控芯片镍基阳模的研究
摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第一章 文献综述 | 第8-32页 |
·引言 | 第8-9页 |
·微流控分析芯片的材料 | 第9-12页 |
·硅材料 | 第9页 |
·玻璃和石英 | 第9-10页 |
·高分子材料 | 第10-12页 |
·微加工技术的加工特点 | 第12-13页 |
·光刻工艺 | 第13页 |
·高聚物微流控芯片的加工方法 | 第13-14页 |
·阳模加工方法 | 第14-22页 |
·计算机数码控制微加工 | 第15页 |
·电铸 | 第15-20页 |
·LIGA技术 | 第15-16页 |
·准LIGA技术 | 第16-20页 |
·硅阳模 | 第20-21页 |
·SU—8阳模 | 第21页 |
·用化学腐蚀法制作金属阳模 | 第21-22页 |
·高聚物微流控芯片的成型技术 | 第22-24页 |
·热压成型 | 第22-23页 |
·浇铸成型 | 第23页 |
·注塑成型法 | 第23-24页 |
·激光烧蚀法 | 第24-25页 |
·软刻蚀 | 第25-26页 |
·立体光刻 | 第26页 |
·厚光胶光刻 | 第26-27页 |
·高聚物微流控芯片的封接 | 第27-28页 |
·热键合 | 第27页 |
·层压法 | 第27页 |
·粘合剂封合 | 第27页 |
·表面活化辅助封合 | 第27-28页 |
·高聚物微流控芯片的应用 | 第28页 |
参考文献 | 第28-32页 |
第二章 SU-8光刻工艺的研究 | 第32-38页 |
·引言 | 第32-33页 |
·实验部分 | 第33页 |
·试剂和仪器 | 第33页 |
·SU-8光刻步骤 | 第33页 |
·结果和讨论 | 第33-37页 |
·SU-8光胶的选择 | 第33-34页 |
·光胶与基底间的粘附力 | 第34页 |
·前烘温度 | 第34-35页 |
·曝光 | 第35-36页 |
·显影 | 第36页 |
·定影 | 第36页 |
·后烘 | 第36-37页 |
参考文献 | 第37-38页 |
第三章 用微电铸方法制作微流控芯片镍基阳模 | 第38-49页 |
·引言 | 第38页 |
·实验部分 | 第38-42页 |
·试剂和仪器 | 第38-39页 |
·电铸步骤 | 第39-41页 |
·电铸的常见问题,原因和补救方法 | 第41页 |
·电铸液的处理 | 第41-42页 |
·结果和讨论 | 第42-47页 |
·镍片的机械抛光 | 第42页 |
·电解刻蚀 | 第42-44页 |
·电解抛光的作用 | 第44-45页 |
·再次电解刻蚀的必要性 | 第45页 |
·电铸 | 第45-47页 |
·温度 | 第45-46页 |
·pH值 | 第46页 |
·电流密度 | 第46-47页 |
·用镍基阳模制作聚碳酸酯微流控芯片 | 第47页 |
·结论 | 第47-48页 |
参考文献 | 第48-49页 |
致谢 | 第49-50页 |
独创性声明 | 第50页 |
学位论文版权使用授权书 | 第50页 |