| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 1 绪论 | 第9-20页 |
| ·Ⅲ族氮化物半导体材料与器件 | 第9-15页 |
| ·Ⅲ族氮化物半导体材料与器件研究意义 | 第9-10页 |
| ·Ⅲ族氮化物半导体材料的基本性质结构和性质 | 第10-13页 |
| ·GaN 基半导体材料和器件的发展简史 | 第13-15页 |
| ·Ⅲ族氮化物材料中的缺陷 | 第15-17页 |
| ·Ⅲ族氮化物材料中主要的缺陷类型 | 第15-16页 |
| ·缺陷对材料性质的影响和研究意义 | 第16-17页 |
| ·高 Al 组份 AlGaN 基深紫外 LED | 第17-19页 |
| ·AlGaN 基深紫外 LED 的研究意义 | 第17-18页 |
| ·AlGaN 基深紫外 LED 的研究现状 | 第18-19页 |
| ·本论文的选题依据及内容安排 | 第19-20页 |
| 2. Ⅲ族氮化物材料的外延生长极其表征手段 | 第20-28页 |
| ·分子束外延设备 | 第21-23页 |
| ·外延薄膜的表征方法 | 第23-28页 |
| ·反射高能电子衍射 | 第23-24页 |
| ·X 射线衍射 | 第24-26页 |
| ·原子力显微测量 | 第26-28页 |
| 3. AlN 模板的分子束外延生长 | 第28-34页 |
| ·AlN 缓冲层对 AlN 晶体质量的影响 | 第29-31页 |
| ·生长温度对 AlN 晶体质量的影响 | 第31-34页 |
| 4. 高 Al 组份 AlGaN 材料及其量子阱的分子束外延生长 | 第34-44页 |
| ·分子束外延 AlGaN 薄膜的表面动力学分析 | 第34-35页 |
| ·富 Ga 环境下生长 AlGaN 薄膜 | 第35-39页 |
| ·分子束外延高铝组份 AlGaN 量子阱 | 第39-44页 |
| 5 总结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-52页 |
| 附录 A：作者攻读硕士学位期间发表的论文情况 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53页 |