侧墙TEOS-SiO2薄层的去除及重新淀积
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 引言 | 第6-9页 |
| 第一章 LPCVD淀积SiO_2技术的原理及装置 | 第9-19页 |
| ·LPCVD—低压化学气相淀积 | 第9-12页 |
| ·化学气相淀积(CVD) | 第9-10页 |
| ·LPCVD基本原理 | 第10-12页 |
| ·LPCVD炉管介绍 | 第12-19页 |
| ·CVD炉管 | 第12-15页 |
| ·垂直炉管的管路设置 | 第15-18页 |
| ·垂直炉管操作程序 | 第18-19页 |
| 第二章 多晶硅侧墙的结构及其工艺 | 第19-28页 |
| ·侧墙结构的简介 | 第20-22页 |
| ·LPCVD-TEOS二氧化硅薄膜淀积工艺 | 第22-25页 |
| ·淀积原理 | 第22页 |
| ·淀积装置 | 第22页 |
| ·淀积工艺 | 第22-23页 |
| ·TEOS炉管调试 | 第23-25页 |
| ·TEOS-SiO_2淀积工艺中各参数的关系 | 第25-28页 |
| ·厚度和均匀度之间的关系 | 第25页 |
| ·各参数对淀积速率和均匀度的影响 | 第25-28页 |
| 第三章 重新淀积的实验 | 第28-40页 |
| ·晶圆的选择 | 第29-31页 |
| ·尘埃微粒的形成 | 第31-33页 |
| ·物理方面的因素 | 第32-33页 |
| ·制程方面的因素 | 第33页 |
| ·去除侧墙TEOS-SiO_2 | 第33-36页 |
| ·刻蚀液的选择 | 第33-35页 |
| ·侧墙TEOS-SiO_2薄层的去除 | 第35-36页 |
| ·去除效果的检验 | 第36-38页 |
| ·尘埃微粒的检测 | 第36页 |
| ·厚度的检测 | 第36-38页 |
| ·重新淀积侧墙 | 第38页 |
| ·重新淀积后的检测 | 第38-40页 |
| ·SPA_TEOS检测 | 第38-39页 |
| ·SPA_ASI检测 | 第39-40页 |
| 第四章 重新淀积后的测试 | 第40-46页 |
| ·产品良率测试 | 第40-45页 |
| ·扫描图对比分析 | 第40-41页 |
| ·图表分析 | 第41-45页 |
| ·可靠性测试 | 第45-46页 |
| 第五章 结论及展望 | 第46-49页 |
| ·结论 | 第46-47页 |
| ·展望 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
| 附录 | 第50-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
